[發(fā)明專利]半導體發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310022156.5
• 申請日: 2008-09-05
• 公開（公告）號: CN103050590A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫孝根
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;董文國

本申請是申請日為2008年9月5日、申請?zhí)枮?00880105858.7、發(fā)明名稱為“半導體發(fā)光器件及其制造方法”的中國專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施方案涉及半導體發(fā)光器件及其制造方法。

背景技術(shù)

第III-V族氮化物半導體已經(jīng)廣泛用于光學器件如藍色/綠色發(fā)光二極管(LED)、高速開關(guān)裝置如金屬半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和異質(zhì)結(jié)型場效應(yīng)晶體管(HEMT)、照明或顯示設(shè)備的光源等。特別地，使用第III族氮化物半導體的發(fā)光器件具有對應(yīng)于可見射線到紫外射線范圍的直接過渡型帶隙，并且可以執(zhí)行高效發(fā)光。

氮化物半導體已主要用作LED或激光二極管(LD)，并且已進行改善制造工藝或發(fā)光效率的研究。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

實施方案提供一種半導體發(fā)光器件及其制造方法，所述半導體發(fā)光器件包括具有絕緣層或空隙的導電型半導體層。

實施方案提供一種半導體發(fā)光器件及其制造方法，所述半導體發(fā)光器件包括具有絕緣層和空隙的第一導電型半導體層。

技術(shù)解決方案

一個實施方案提供一種半導體發(fā)光器件，其包括：第一導電型半導體層，所述第一導電型半導體層包括具有預定間隔的絕緣層和在所述絕緣層之間的空隙；在所述第一導電型半導體層上的有源層；和在所述有源層上的第二導電型半導體層。

一個實施方案提供一種半導體發(fā)光器件，其包括：第一導電型半導體層，所述第一導電型半導體層包括形成有第一電極層的第一氮化物層和包括空隙的第二氮化物層；在所述第二氮化物層上的有源層；和在所述有源層上的第二導電型半導體層。

一個實施方案提供一種制造半導體發(fā)光器件的方法，其包括：形成包括絕緣層和在所述絕緣層之間的空隙的第一導電型半導體層；在所述第一導電型半導體層上形成有源層；和在所述有源層上形成第二導電型半導體層。

本發(fā)明還涉及以下方案。

1.一種半導體發(fā)光器件，其包括：

第一導電型半導體層，所述第一導電型半導體層包括絕緣層和在

所述絕緣層之間的空隙，所述絕緣層以預定間隔隔開；

在所述第一導電型半導體層上的有源層；和

在所述有源層上的第二導電型半導體層。

2.根據(jù)方案1所述的半導體發(fā)光器件，其中所述絕緣層包括具有隨機尺寸和不規(guī)則間隔的突起，并且所述空隙設(shè)置在所述絕緣層的一些突起之間。

3.根據(jù)方案1所述的半導體發(fā)光器件，其中所述絕緣層包括MgN層。

4.根據(jù)方案1所述的半導體發(fā)光器件，其中所述絕緣層包括摻雜有n型摻雜劑和p型摻雜劑的氮化物半導體。

5.根據(jù)方案1所述的半導體發(fā)光器件，其中所述第一導電型半導體層包括：

在所述絕緣層下的第一氮化物層；

在所述絕緣層和所述第一氮化物層上的包括空隙的第二氮化物層；和

在所述第二氮化物層和所述有源層之間的第三氮化物層。

6.根據(jù)方案1所述的半導體發(fā)光器件，其包括在所述第一氮化物層上的第一電極層。

7.根據(jù)方案1所述的半導體發(fā)光器件，其中第二氮化物層的位錯密度小于所述第一氮化物層的位錯密度。

8.一種半導體發(fā)光器件，包括：

第一導電型半導體層，所述第一導電型半導體層包括形成有第一電極層的第一氮化物層和包括空隙的第二氮化物層；

在所述第二氮化物層上的有源層；和

在所述有源層上的第二導電型半導體層。

9.根據(jù)方案8所述的半導體發(fā)光器件，其包括在所述第一氮化物層上的具有預定間隔的絕緣層，其中所述空隙設(shè)置在所述絕緣層之間。

10.根據(jù)方案8所述的半導體發(fā)光器件，其包括在所述第二氮化物層和所述有源層之間的第三氮化物層，其中所述第一至第三氮化物層包括n型半導體層。

11.根據(jù)方案9所述的半導體發(fā)光器件，其中所述絕緣層阻擋施加到所述第一氮化物層的電壓，所述第二氮化物層通過所述空隙的隧道效應(yīng)接收所述第一氮化物層的電壓。

12.根據(jù)方案9所述的半導體發(fā)光器件，其中所述絕緣層包括具有突起形狀的MgN層，并且所述MgN層的每一個突起具有約0.0001μm至約1μm的厚度和約～約3μm的間距。

13.一種制造半導體發(fā)光器件的方法，其包括：

形成包括絕緣層和在所述絕緣層之間的空隙的第一導電型半導體層；

在所述第一導電型半導體層上形成有源層；和

在所述有源層上形成第二導電型半導體層。