[發明專利]光電半導體裝置

有效

• 申請號: 201310021570.4
• 申請日: 2009-10-23
• 公開（公告）號: CN103078034A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 沈建賦;鐘健凱;洪詳竣;葉慧君;柯淙凱;林安茹;歐震
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種光電半導體裝置，包含：

轉換部；

電性接點；

接觸層，位于該轉換部與該電性接點之間，其中該接觸層中形成有多個不連續區，該多個不連續區分布于該電性接點的周圍，且該多個不連續區在俯視圖上具有圖案分布。

2.如權利要求1所述的光電半導體裝置，其中該接觸層于該電性接點下方的尺寸約等于或略大于該電性接點的尺寸。

3.如權利要求1所述的光電半導體裝置，還包含絕緣區形成于該電性接點下方。

4.如權利要求3所述的光電半導體裝置，其中該絕緣區形成于該電性接點與該轉換部之間。

5.如權利要求1所述的光電半導體裝置，其中該圖案分布可為常規陣列或交錯陣列。

6.如權利要求1所述的光電半導體裝置，其中該不連續區的圖案可為圓形、正方形、矩形、菱形、平行四邊形、橢圓形、三角形、五角形、六角形、梯形、或不規則形。

7.如權利要求1所述的光電半導體裝置，其中該不連續區與該接觸層重疊。

8.如權利要求1所述的光電半導體裝置，其中該不連續區未與該接觸層重疊。

9.如權利要求1所述的光電半導體裝置，其中該不連續區含幾何、材料、物理特性、及化學特性中至少其一的不連續。

10.如權利要求1所述的光電半導體裝置，還包含歐姆接觸區，位于該接觸層、該不連續區、或其二者下方。

11.如權利要求10所述的光電半導體裝置，還包含填充質以填充該歐姆接觸區中的至少部分空間，其中該填充質包含絕緣材、金屬、半導體、摻雜的半導體、波長轉換物質中至少其一。

12.如權利要求10所述的光電半導體裝置，其中該歐姆接觸區包含凸起空間、凹陷空間、或其二者。

13.如權利要求1所述的光電半導體裝置，其中該電性接點包含根部與自該根部向外放射的支部。