[發(fā)明專利]離子檢測裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310021535.2
• 申請日: 2013-01-21
• 公開（公告）號: CN103227097B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 小林浩之;須山本比呂;小谷政弘;大村孝幸
• 申請（專利權(quán)）人: 浜松光子學(xué)株式會社
• 主分類號: H01J49/26
• 分類號: H01J49/26;H01J49/02;G01T1/28
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

1.一種離子檢測裝置，其特征在于：

是檢測正離子的離子檢測裝置，

具備：

框體，設(shè)置有使所述正離子進(jìn)入的離子進(jìn)入口；

轉(zhuǎn)換倍增極，被配置于所述框體內(nèi)并且被施加負(fù)電位；以及

半導(dǎo)體電子檢測元件，被配置于所述框體內(nèi)并具有與所述轉(zhuǎn)換倍增極相對并且入射從所述轉(zhuǎn)換倍增極釋放出的二次電子的電子入射面，

所述電子入射面在被接地的所述框體中相對于支撐所述半導(dǎo)體電子檢測元件的部分而言位于所述轉(zhuǎn)換倍增極一側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的離子檢測裝置，其特征在于：

進(jìn)一步具備覆蓋電極，其被配置于所述框體內(nèi)并具有從所述轉(zhuǎn)換倍增極行進(jìn)到所述半導(dǎo)體電子檢測元件的所述二次電子所通過的電子通過口，

所述半導(dǎo)體電子檢測元件為雪崩光電二極管。

3.如權(quán)利要求2所述的離子檢測裝置，其特征在于：

在從所述轉(zhuǎn)換倍增極與所述電子入射面相對的方向進(jìn)行觀察的情況下，所述電子入射面包含所述電子通過口。

4.如權(quán)利要求2或者3所述的離子檢測裝置，其特征在于：

所述覆蓋電極是容納所述半導(dǎo)體電子檢測元件的外殼的一部分。

5.如權(quán)利要求2～4中任意一項(xiàng)所述的離子檢測裝置，其特征在于：

所述覆蓋電極與被接地的所述框體電連接。

6.如權(quán)利要求1～5中任意一項(xiàng)所述的離子檢測裝置，其特征在于：

在所述離子進(jìn)入口張設(shè)有被施加負(fù)電位的第1網(wǎng)狀物。

7.如權(quán)利要求6所述的離子檢測裝置，其特征在于：

在所述離子進(jìn)入口以相對于所述第1網(wǎng)狀物位于外側(cè)的形式張設(shè)有第2網(wǎng)狀物，

在所述第2網(wǎng)狀物上以絕對值小于被施加于所述第1網(wǎng)狀物的電位的形式施加正電位。

8.如權(quán)利要求1～7中任意一項(xiàng)所述的離子檢測裝置，其特征在于：

成為與所述框體相同電位的一對電極構(gòu)件被配置為，在所述框體內(nèi)相對于所述轉(zhuǎn)換倍增極以及所述電子入射面而位于所述離子進(jìn)入口一側(cè)，并且在從所述離子進(jìn)入口一側(cè)進(jìn)行觀察的情況下在與所述轉(zhuǎn)換倍增極和所述電子入射面相對的方向大致相垂直的方向上夾持所述離子進(jìn)入口。

9.一種離子檢測裝置，其特征在于：

是檢測正離子以及負(fù)離子的離子檢測裝置，

具備：

框體，設(shè)置有使所述正離子以及所述負(fù)離子進(jìn)入的離子進(jìn)入口；

轉(zhuǎn)換倍增極，被配置于所述框體內(nèi)并且被施加負(fù)電位；

半導(dǎo)體電子檢測元件，被配置于所述框體內(nèi)并與具有轉(zhuǎn)換倍增極相對并且入射從所述轉(zhuǎn)換倍增極釋放出的二次電子的電子入射面；以及

覆蓋電極，被配置于所述框體內(nèi)并具有從所述轉(zhuǎn)換倍增極行進(jìn)到所述半導(dǎo)體電子檢測元件的所述二次電子所通過的電子通過口；

至少在所述覆蓋電極上施加正電位，

所述電子入射面在被接地的所述框體中相對于支撐所述半導(dǎo)體電子檢測元件的部分而言位于所述轉(zhuǎn)換倍增極一側(cè)。

10.如權(quán)利要求9所述的離子檢測裝置，其特征在于：

在所述覆蓋電極以及所述電子入射面上施加正電位，

所述半導(dǎo)體電子檢測元件是雪崩光電二極管。

11.如權(quán)利要求9或者10所述的離子檢測裝置，其特征在于：

所述轉(zhuǎn)換倍增極以及所述電子入射面相對于所述離子進(jìn)入口以大致垂直于連結(jié)所述轉(zhuǎn)換倍增極和所述電子入射面的基準(zhǔn)線的規(guī)定的面包含所述離子進(jìn)入口的中心線的形式進(jìn)行定位，

以由所述轉(zhuǎn)換倍增極形成的負(fù)的等電位面和至少由所述覆蓋電極形成的正的等電位面關(guān)于所述規(guī)定的面成為大致對稱的形式，將負(fù)電位施加于所述轉(zhuǎn)換倍增極并且將正電位至少施加于所述覆蓋電極。

12.如權(quán)利要求9～11中任意一項(xiàng)所述的離子檢測裝置，其特征在于：

在從所述轉(zhuǎn)換倍增極與所述電子入射面相對的方向進(jìn)行觀察的情況下，所述電子入射面包含所述電子通過口。

13.如權(quán)利要求9～12中任意一項(xiàng)所述的離子檢測裝置，其特征在于：

所述覆蓋電極是容納所述半導(dǎo)體電子檢測元件的外殼的一部分。

14.如權(quán)利要求9～13中任意一項(xiàng)所述的離子檢測裝置，其特征在于：

所述覆蓋電極與被接地的所述框體電絕緣。