[發明專利]用于沉積無氯保形SiN 膜的方法

在審

• 申請號: 201310021460.8
• 申請日: 2013-01-21
• 公開（公告）號: CN103225071A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 丹尼斯·豪斯曼;喬恩·亨利;巴特·范施拉芬迪克;伊斯瓦·斯里尼瓦桑
• 申請（專利權）人: 諾發系統公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/52;C23C16/34
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種在反應室中在襯底上形成氮化硅材料的方法，包括：

周期性將所述襯底暴露于無鹵素含硅反應物的氣相流，其中，所述無鹵素含硅反應物被吸附在所述襯底的表面上；

將所述襯底暴露于第一含氮反應物的氣相流，其中，所述含氮反應物被吸附在所述襯底的所述表面上；以及

當氣相含氮反應物在所述反應室中存在并且所述無鹵素含硅反應物的所述氣相流已停止時，周期性地點燃所述反應室中的等離子體。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述無鹵素含硅反應物是三硅烷基胺（TSA）。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一含氮反應物是無碳的。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述第一含氮反應物是胺。

5.根據權利要求1-3中的任何一項所述的方法，其中，所述第一含氮反應物是無碳的，且所述方法進一步包括使含有碳的第二含氮反應物的氣相流流動。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述第二含氮反應物是C1-10烷基胺。

7.根據權利要求5或6所述的方法，其中，所述第一含氮反應物與所述第二含氮反應物的體積流量比介于約1:1和10:1之間。

8.根據權利要求5或6所述的方法，其中，所述第一含氮反應物與所述第二含氮反應物的體積流量比介于約1:1和4:1之間。

9.根據權利要求5或6所述的方法，其中，所述第一含氮反應物與所述第二含氮反應物的體積流量比介于約1:10和1:1之間。

10.根據權利要求5或6所述的方法，其中，所述第一含氮反應物與所述第二含氮反應物的體積流量比介于約1:4和1∶1之間。

11.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述襯底包括鍺-碲-銻合金、在其上形成所述氮化硅材料的金屬表面以及在其上形成所述氮化硅材料的氧化物表面中的一個；。

12.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述等離子體或活化能的源是具有功率為在約0.15W/cm²和0.5W/cm²之間的RF等離子體。

13.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述等離子體或活化能的源是具有功率為在約1W/cm²和3W/cm²之間的RF等離子體。

14.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述等離子體或活化能的源是僅HF的RF等離子體。

15.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述襯底的溫度保持在不超過約400℃。

16.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述襯底的溫度保持在不超過約375℃。

17.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述襯底的溫度保持在不超過約350℃。

18.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述襯底的溫度保持在不超過約325℃。

19.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述氮化硅材料的應力在約-4GPa和-2GPA之間。

20.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述氮化硅材料的應力在約-2GPa和1GPA之間。

21.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述氮化硅材料是無鹵素的。

22.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述襯底的表面包括一個或多個凸起或凹陷的特征，并且所述氮化硅材料對所述一個或多個凸起或凹陷的特征是保形的。