[發明專利]低電壓能隙參考電路有效
| 申請號: | 201310021390.6 | 申請日: | 2013-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN103885519A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 張竟宏;郭圳龍;吳清堂;吳忠政;鄭仲皓 | 申請(專利權)人: | 硅成積體電路股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 北京華夏博通專利事務所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 劉俊 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 參考 電路 | ||
技術領域
本發明涉及一種低電壓能隙參考電路,尤其是具有小于輸入電源的單一穩定操作點,并提供小于輸入電源的參考電壓。
背景技術
一般高功能電子電路的正常操作需要不受輸入電源、負載程度、溫度影響的參考電壓,比如當作比較器的輸入信號,藉以判斷內部或外部特定電氣信號大小。參考電壓通常是由具復雜結構的參考電路而實現,以降低并阻隔輸入電源、負載程度、溫度的影響。
在現有技術中,業者已開發出許多能防止輸入電源及負載影響的參考電路,但是對于溫度的影響,一般是利用差訊運算放大器,配合多個電阻及多個二極管,組合成同時具有正溫度系數及負溫度系數的電路,尤其是正溫度系數及負溫度系數的大小被設計成相互抵消,因此,可消除或大幅降低溫度的影響,亦即整體參考電路的一階或二階溫度系數為零。
如圖1所示的現有技術能隙參考電路,其中能隙參考電路包括差訊運算放大器OP、金氧半場效晶體管P、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第一二極管D1及第二二極管D2,可在金氧半場效晶體管P的汲極產生參考電壓Vref而輸出,其中第二二極管D2是由多個電氣特性相同于第一二極管D1的二極管經并聯連接而實現。
具體而言,差訊運算放大器OP的輸出端連接金氧半場效晶體管P的閘極,金氧半場效晶體管P的源極連接輸入電源Vcc,第一電阻R1串接在金氧半場效晶體管P的汲極以及第一二極管D1的正端之間,第二電阻R2及第三電阻R3串接結合而進一步連接至金氧半場效晶體管P的汲極以及第二二極管D2的正端之間。尤其是,第一二極管D1的正端進一步連接至差訊運算放大器OP的反相輸入端,而第二電阻R2及第三電阻R3的串接點進一步連接至差訊運算放大器OP的非反相輸入端,藉以提供回授控制路徑。
圖1現有技術能隙參考電路的詳細操作分析如下。
首先,依據方程式(1)所示的二極管的電流-電壓特性方程式:
其中q:一個電子的電量(1.6×10-19C)
K:波次曼常數(1.38×10-23J/K)
T:絕對溫度
Is:逆向飽和電流
Vf:熱電壓
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