[發明專利]一種工業硅爐外精煉提純的方法有效
| 申請號： | 201310020824.0 | 申請日： | 2013-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN103058199A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發明（設計）人： | 魏奎先;馬文會;黃淑萍;謝克強;王統;周陽;伍繼君;楊斌;劉大春;戴永年 | 申請（專利權）人： | 昆明理工大學 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
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| 地址： | 650093 云*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 工業 硅爐外 精煉 提純 方法 | ||
1.一種工業硅爐外精煉提純的方法，其特征在于經過下列各步驟：
（1）先向抬包中持續通入壓縮空氣，再將礦熱爐中純度為98%的硅熔體釋放到抬包中，同時利用等離子體對抬包內的硅水進行加熱，其中等離子體的功率為60KW，并使工業硅熔體的溫度保持在1600℃以上；
（2）待步驟（1）升溫完畢后，向抬包中加精煉劑，并通入精煉氣體，進行爐外吹氣、造渣精煉；
（3）待步驟（2）精煉完畢后，進行渣硅分離，再進行澆注，即得到高純度的工業硅。
2.根據權利要求1所述的工業硅爐外精煉提純的方法，其特征在于：所述步驟（1）的等離子體為帶有載流氣體的等離子體，其載流氣體為氬氣、氫氣、水蒸氣中的一種或幾種的混合物。
3.根據權利要求1所述的工業硅爐外精煉提純的方法，其特征在于：所述步驟（1）的等離子體的加熱是在抬包上方，直接對硅水表面加熱，同時實現硅熔體的攪拌。
4.根據權利要求1所述的工業硅爐外精煉提純的方法，其特征在于：所述步驟（2）的精煉劑為常規工業硅造渣精煉劑。
5.根據權利要求1或4所述的工業硅爐外精煉提純的方法，其特征在于：精煉劑與硅熔體質量比為20：1～1：20。
6.根據權利要求1所述的工業硅爐外精煉提純的方法，其特征在于：所述步驟（2）的精煉氣體為常規工業硅吹氣精煉氣體。
7.根據權利要求1或6所述的工業硅爐外精煉提純的方法，其特征在于：精煉氣體的通入壓力為1～20MPa，流量為0.5～20m3/h，通氣時間為0.5～10h。
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