[發明專利]TSV樣品的制備方法在審
| 申請號： | 201310020372.6 | 申請日： | 2013-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN103940643A | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發明（設計）人： | 范春燕;韓耀梅;虞勤琴;朱敏 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tsv 樣品 制備 方法 | ||
1.一種TSV樣品的制備方法，其特征在于，包括：
從晶片上切割出包含TSV結構徑向剖面的待處理樣品；
將待處理樣品載入FIB機臺，且TSV結構徑向剖面朝上并與FIB機臺平行；
利用FIB在TSV結構徑向剖面上做標記以確定TSV結構的位置；
傾斜所述待處理樣品，使TSV結構徑向剖面與所述FIB機臺的夾角為鈍角；
根據所述標記進行待處理樣品的分析區域聚焦，并采用FIB研磨所述待處理樣品的分析區域，以形成TSV樣品。
2.如權利要求1所述的TSV樣品的制備方法，其特征在于，利用FIB沉積或研磨的方法在TSV結構徑向剖面上做標記。
3.如權利要求1所述的TSV樣品的制備方法，其特征在于，所述鈍角為130~140度。
4.如權利要求1或3所述的TSV樣品的制備方法，其特征在于，通過對所述待處理樣品傾斜50度并旋轉-90度的方法來使TSV結構徑向剖面與所述FIB機臺的夾角為鈍角。
5.如權利要求1所述的TSV樣品的制備方法，其特征在于，根據所述標記進行待處理樣品的分析區域聚焦后，采用束流為60nA~80nA的FIB研磨所述分析區域。
6.如權利要求1所述的TSV樣品的制備方法，其特征在于，采用FIB研磨以形成TSV樣品的步驟包括：
用FIB初步研磨，在所述TSV結構的兩側的分析區域中形成兩個洞，所述洞的深度能暴露出所述TSV結構的側壁；
用FIB在兩個洞的底部分別形成開口；
用FIB分別從每個洞中細拋所述TSV結構的側壁，直到所述TSV結構的厚度達到預定義厚度。
7.如權利要求6所述的TSV樣品的制備方法，其特征在于，所述洞的寬度3~10μm。
8.如權利要求6所述的TSV樣品的制備方法，其特征在于，所述預定義厚度小于0.1μm。
9.如權利要求6所述的TSV樣品的制備方法，其特征在于，所述開口為U型開口。
10.如權利要求1或6所述的TSV樣品的制備方法，其特征在于，所述FIB機臺還包括聚焦電子束結構，采用FIB研磨以形成TSV樣品的過程中，采用聚焦電子束觀察TSV樣品形貌。
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