[發(fā)明專利]SCM樣品橫斷面的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310020360.3
• 申請(qǐng)日: 2013-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN103941043A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李楠;賴?yán)铨?/a>;朱靈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): G01Q30/20
• 分類號(hào): G01Q30/20
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，包括：?

在晶片上形成標(biāo)識(shí)，以確定目標(biāo)樣品的位置；?

根據(jù)所述標(biāo)識(shí)去除所述目標(biāo)樣品一側(cè)的預(yù)定義寬度的晶片；?

采用聚焦離子束研磨所述目標(biāo)樣品一側(cè)剩余的晶片，形成暴露出所述目標(biāo)樣品橫斷面的預(yù)定義大小的開口；?

按照第一工藝配方對(duì)所述目標(biāo)樣品的一側(cè)進(jìn)行熱氧化，濕法腐蝕熱氧化后的所述目標(biāo)樣品的一側(cè)，以暴露出所述目標(biāo)樣品的橫斷面；?

按照第二配方對(duì)所述目標(biāo)樣品的橫斷面進(jìn)行熱氧化，以形成SCM樣品橫斷面。?

2.如權(quán)利要求1所述的SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，所述第一工藝配方包括：工藝溫度為100℃～500℃，工藝時(shí)間為30min～240min。?

3.如權(quán)利要求2所述的SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，所述第一工藝配方包括：工藝溫度為300℃，工藝時(shí)間為50min。?

4.如權(quán)利要求1所述的SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，所述濕法腐蝕的腐蝕液為4％～6％氫氟酸，腐蝕時(shí)間為10s～10min。?

5.如權(quán)利要求4所述的SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，所述濕法腐蝕的腐蝕液為4.9％氫氟酸，腐蝕時(shí)間為2min。?

6.如權(quán)利要求1所述的SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，去除所述目標(biāo)樣品一側(cè)的預(yù)定義寬度的晶片后，所述目標(biāo)樣品一側(cè)的剩余的晶片的寬度為1μm～10μm。?

7.如權(quán)利要求1所述的SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，采用聚焦離子束研磨所述目標(biāo)樣品一側(cè)剩余的晶片的過(guò)程中采用的工作電壓為0.5kV～15kV。?

8.如權(quán)利要求1所述的SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，所述開口為矩形開口。?

9.如權(quán)利要求8所述的SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，所述矩形開口的寬度為3μm～10μm，長(zhǎng)度為5μm～15μm，深度為3μm～10μm。?

10.如權(quán)利要求1所述的SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，所述第二工藝配方包括：工藝溫度為200℃～400℃，工藝時(shí)間為1min～1h。?

11.如權(quán)利要求1或10所述的SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，所述SCM樣品橫斷面的厚度為2.5nm～3.5nm。?

12.如權(quán)利要求11所述的SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，所述SCM樣品橫斷面的厚度為3nm。?

13.如權(quán)利要求1所述的SCM樣品橫斷面的制備方法，其特征在于，根據(jù)所述標(biāo)識(shí)去除所述目標(biāo)樣品一側(cè)的預(yù)定義寬度的晶片的方法為化學(xué)拋光法或者FIB刻蝕法。?