[發明專利]多維集成電路的電源線濾波器

有效

• 申請號: 201310020319.6
• 申請日: 2013-01-18
• 公開（公告）號: CN103367336A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 黃柏智;陳易緯;林冠諭;劉欽洲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H03H9/46
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種用于使負載電路與通過導向所述負載電路的導體傳播的AC噪聲相去耦的電路結構，所述電路結構包括：至少一個電路元件，具有多個疊加層，其中，至少一個導電路徑穿過所述電路元件，并在所述導電路徑上的所述電路元件表面任兩不同節點形成電氣連接，所述導電路徑具有阻抗特性；

其中，所述阻抗特性部分地通過去耦電路來限定，所述去耦電路包括至少一個與所述負載電路并聯連接的電容和至少一個與所述導電路徑串聯連接的電感，其中，所述電容和所述電感形成使頻率高于預定頻率的噪聲信號成分減弱的低通濾波器，由此使所述負載電路與所述噪聲信號成分相去耦；

其中，所述電感由至少一個導電線圈提供，所述至少一個導電線圈占據疊加層中的至少兩層并且包括在所述疊加層之間延伸的至少一個通孔。

2.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述電感由至少兩個導電線圈提供，每個導電線圈都分別占據至少兩個所述疊加層，其中，至少兩個所述導電回路被設置成電磁耦合，由此提供與所述導電路徑串聯的變壓器。

3.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述電感至少部分地由相鄰疊加層中的導電區域和介電區域來提供。

4.根據權利要求3所述的電路結構，其中，所述電路元件包括至少一個半導體層，并且所述電容由至少一個金屬氧化物半導體電容器器件(MOScap)提供，所述金屬氧化物半導體電容器器件具有設置在相鄰疊加層中的相應的導體部分、電介質部分和半導體部分。

5.根據權利要求4所述的電路結構，其中，所述電容器器件包括相鄰分離地形成的柵極的陣列，所述柵極形成所述導電部分并覆蓋所述疊加層中的介電層和半導體層。

6.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述阻抗特性由至少一條傳輸線來限定，所述傳輸線包括輸入并聯電容，串聯電感和輸出并聯電容。

7.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述阻抗特性由至少兩條級聯的傳輸線來限定，每條傳輸線均包括輸入并聯電容、串聯電感和輸出并聯電容。

8.根據權利要求7所述的電路結構，其中，兩條所述級聯的傳輸線的電感磁性耦合，從而形成變壓器。

9.根據權利要求8所述的電路結構，其中，兩條所述級聯的傳輸線的電感包括所述疊加層中的導體，每個導體均形成至少一個回路，并且所述導體的回路至少部分地相互重疊。

10.一種多維電路裝置，包括：

電路襯底，為了向至少一個操作電路供電而向所述襯底上的點提供電源連接；

中介層，被布置為安裝在所述電路襯底上，所述中介層具有多個疊加層，其中，至少一個導電路徑穿過所述中介層的疊加層并且位于所述中介層的表面上的點處，從而沿著通過所述中介層的任兩節點之間的所述導電路徑形成電連接；

去耦電路，與所述導電路徑相連接并且設置在所述中介層內，所述去耦電路包括與負載電路并聯的電容和與所述導電路徑串聯的電感，其中，所述電容和所述電感形成使頻率高于預定頻率的噪聲信號成分減弱的低通濾波器。