[發明專利]減少圖像傳感器中的串擾的設備和方法有效
| 申請號: | 201310020044.6 | 申請日: | 2013-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN103378114A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 林政賢;楊敦年;劉人誠;許慈軒;蔡雙吉;高敏峰 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 減少 圖像傳感器 中的 設備 方法 | ||
1.一種方法,包括:
提供具有正面和背面的晶圓;
在所述晶圓的正面中形成隔離區域,其中,所述隔離區域包圍光電有源區域;
從所述晶圓的背面開始在所述隔離區域中形成開口;以及
利用氣隙介電層覆蓋所述開口的上端,以形成嵌在所述晶圓的所述隔離區域中的氣隙。
2.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:
在所述晶圓中生長外延層,其中,所述光電有源區域嵌在所述外延層中;
在所述晶圓的正面上方形成介電層;以及
在所述介電層上方形成金屬互連層。
3.根據權利要求2所述的方法,其中,所述光電有源區域包括:
n型光電有源區域;以及
p型光電有源區域。
4.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:
在所述開口的底部和側壁上沉積負電荷層;以及
以不一致的方式在所述負電荷層上沉積氣隙覆蓋層,使得所述氣隙形成在所述隔離區域內。
5.根據權利要求4所述的方法,其中:
所述負電荷層沿著所述氣隙的側壁引起高負電荷濃度。
6.根據權利要求4所述的方法,進一步包括:
在所述氣隙覆蓋層上方沉積金屬柵格固定層;以及
形成嵌在所述金屬柵格固定層中的金屬柵格,其中,所述金屬柵格與所述氣隙垂直對準。
7.根據權利要求6所述的方法,其中:
所述金屬柵格固定層由氧化硅形成。
8.根據權利要求7所述的方法,進一步包括:
在所述金屬柵格固定層上沉積濾色器層;以及
在所述濾色器層上形成微透鏡層。
9.一種裝置,包括:
襯底,具有第一面和第二面,其中,所述第一面與光電有源區域相鄰;
隔離區域,與位于所述襯底的第一面中的所述光電有源區域相鄰地設置;
氣隙,嵌在所述隔離區域中,其中,所述氣隙被介電材料封閉,并且所述氣隙與所述襯底的第二面相鄰;以及
負電荷層,一致地沿著所述氣隙的側壁。
10.一種器件,包括:
襯底,具有第一傳導性;
外延層,形成在所述襯底上;
第一光電有源區域,具有第二傳導性,形成在所述襯底的第一面中;
第二光電有源區域,具有第一傳導性,形成在所述襯底的第一面中;
隔離區域,所述第一光電有源區域和所述第二光電有源區域被所述隔離區域包圍;
氣隙,位于所述隔離區域中;以及
氣隙覆蓋層,位于所述氣隙的開口上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





