[發明專利]ESD保護電路有效
| 申請號： | 201310020042.7 | 申請日： | 2013-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN103219363B | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發明（設計）人： | 賴大偉;H·萊恩威;林盈彰 | 申請（專利權）人： | 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司11314 | 代理人： | 程偉,王錦陽 |
| 地址： | 新加坡，*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | esd 保護 電路 | ||
1.一種裝置，其包含：
一襯底，定義有一裝置區，該裝置區包含有第一及第二晶體管的一ESD保護電路，其中，晶體管包含：
一柵極，具有第一及第二側，
第一擴散區，其在該裝置區中鄰近該柵極的該第一側，以及
第二擴散區，其在該裝置區中偏離該柵極的該第二側，其中，
該第一及該第二擴散區包含有第一極性的摻雜物；
第一裝置井，涵蓋該裝置區；
數個第二裝置井，配置于該第一裝置井內；以及
一井接觸，與所述第二裝置井耦接，其中，該井接觸包圍所述晶體管的所述柵極以及鄰接所述晶體管的所述第一擴散區。
2.如權利要求1所述的裝置，其中，該第一裝置井包含有該第一極性的摻雜物以及所述第二裝置井包含有第二極性的摻雜物。
3.如權利要求2所述的裝置，其中，該第一極性包含n型以及該第二極性包含p型。
4.如權利要求1所述的裝置，其中，該第二裝置井至少涵蓋該井接觸、第一擴散區以及該柵極的部分。
5.如權利要求1所述的裝置，其包含：配置于該柵極與該第二擴散區之間的一漂移隔離區。
6.如權利要求5所述的裝置，其中，該柵極與該漂移隔離區的部分重疊。
7.如權利要求5所述的裝置，其中，該漂移隔離區偏離該第二擴散區。
8.如權利要求1所述的裝置，其包含：配置于鄰近該柵極的該第二側的一側壁間隔壁。
9.如權利要求1所述的裝置，其中，該第一擴散區為一源極區以及該第二擴散區為一漏極區。
10.如權利要求7所述的裝置，其中，該第一及該第二晶體管共享一共同漏極區。
11.如權利要求1所述的裝置，其包含：配置于該第二擴散區底下以及于該第一裝置井內的第三井。
12.如權利要求11所述的裝置，其中，該第三井包含與該第二擴散區的寬度相同的一寬度。
13.如權利要求11所述的裝置，其中，該第一及該第二擴散區、該第一裝置井以及該第三井包含有第一極性的摻雜物，以及所述第二裝置井包含有第二極性的摻雜物。
14.如權利要求13所述的裝置，其中，該第一極性包含n型以及該第二極性包含p型。
15.如權利要求14所述的裝置，其中，該第二裝置井至少涵蓋該井接觸、第一擴散區以及該柵極的部分。
16.如權利要求1所述的裝置，其中，該裝置沒有配置于該第二裝置井內的漂移井。
17.一種裝置，其包含：
一襯底，定義有一裝置區，該裝置區包含有第一及第二晶體管的一ESD保護電路，其中，晶體管包含：
一柵極，具有第一及第二側，
第一擴散區，其在該裝置區中鄰近該柵極的該第一側，以及
第二擴散區，其在該裝置區中偏離該柵極的該第二側，其中，
該第一及該第二擴散區包含有第一極性的摻雜物；
第一裝置井，涵蓋該裝置區；
數個第二裝置井，配置于該第一裝置井內；
第三井，配置于該第二擴散區底下以及于該第一裝置井內；以及
一井接觸，與所述第二裝置井耦接，其中，該井接觸包圍所述晶體管的所述柵極以及鄰接所述晶體管的所述第一擴散區。
18.如權利要求17所述的裝置，其中，該第一及該第二擴散區、該第一裝置井以及該第三井包含有第一極性的摻雜物，以及所述第二裝置井包含有第二極性的摻雜物。
19.如權利要求18所述的裝置，其中，該第一極性包含n型以及該第二極性包含p型。
20.如權利要求17所述的裝置，其中，該第二裝置井至少涵蓋該井接觸、第一擴散區以及該柵極的部分。
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