[發明專利]一種半導體激光器以及窄帶高反射率薄膜有效
| 申請號： | 201310019896.3 | 申請日： | 2013-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN103124045A | 公開（公告）日： | 2013-05-29 |
| 發明（設計）人： | 王軍營 | 申請（專利權）人： | 西安卓銘光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/028 | 分類號： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 710018 陜西省西安市經*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體激光器 以及 窄帶 反射率 薄膜 | ||
1.一種半導體激光器，其特征在于，所述半導體激光器的后腔面設置有窄帶高反射率薄膜，其中所述窄帶高反射率薄膜的反射光譜在目標波長的長波長方向和短波長方向兩側設置有反射率大于80%的高反射率區域，且所述高反射率區域的寬度小于或等于5nm。
2.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述目標波長處于790nm至850nm之間。
3.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述窄帶高反射率薄膜的反射率在所述高反射率區域的長波長方向和短波長方向的5nm至20nm范圍內下降至50%以下。
4.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述窄帶高反射率薄膜的反射光譜隨溫度的變化偏差不超過1nm。
5.一種窄帶高反射率薄膜，其特征在于，所述窄帶高反射率薄膜設置于半導體激光器的后腔面，其中所述窄帶高反射率薄膜的反射光譜在目標波長的長波長方向和短波長方向兩側設置有反射率大于80%的高反射率區域，且所述高反射率區域的寬度小于或等于5nm。
6.根據權利要求5所述的窄帶高反射率薄膜，其特征在于，所述目標波長處于790nm至850nm之間。
7.根據權利要求5所述的窄帶高反射率薄膜，其特征在于，所述窄帶高反射率薄膜的反射率在所述高反射率區域的長波長方向和短波長方向的5nm至20nm范圍內下降至50%以下。
8.根據權利要求5所述的窄帶高反射率薄膜，其特征在于，所述窄帶高反射率薄膜的反射光譜隨溫度的變化偏差不超過1nm。
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