[發明專利]一種基于三元納米陣列的有機/無機雜化太陽電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201310019859.2
• 申請日: 2013-01-18
• 公開（公告）號: CN103137868A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 劉長文;王命泰;邱澤亮;張慧
• 申請（專利權）人: 中國科學院等離子體物理研究所
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種基于三元納米陣列的有機/無機雜化太陽電池，其特征在于：包括有玻璃襯基、作為陽極的ITO層、ZnO-CdS-Sb₂S₃三組分納米棒陣列、MEH-PPV膜層、PEDOT:PSS空穴傳輸層以及作為電池的陰極的Au膜層；所述的ITO層鍍在玻璃襯基上作為電池的陽極，以垂直生長于ITO層之上的ZnO-CdS-Sb₂S₃三組分納米棒陣列為電池的電子傳輸通道，光吸收材料MEH-PPV填充到ZnO-CdS-Sb₂S₃三組分納米棒的間隙之中，同時在ZnO-CdS-Sb₂S₃三組分納米棒陣列上方形成MEH-PPV膜層，在MEH-PPV膜層上沉積PEDOT:PSS作為空穴傳輸層，在空穴傳輸層上沉積Au膜作為電池的陰極；所述的ZnO-CdS-Sb₂S₃三組分納米棒由Sb₂S₃殼層、CdS中間殼層、ZnO納米棒組成，所述的CdS中間殼層外包覆著Sb₂S₃殼層。

2.根據權利要求1所述的一種基于三元納米陣列的有機/無機雜化太陽電池，其特征在于：ITO層的厚度為50-200?nm，ZnO-CdS-Sb₂S₃三組分納米棒陣列的長度為150-700?nm、直徑為20-90?nm、棒的數量密度為3-6×10²個/μm²，CdS中間殼層的厚度為5-7?nm，Sb₂S₃外殼層的厚度為5-10?nm，位于ZnO-CdS-Sb₂S₃三組分納米棒陣列上方的MEH-PPV膜層厚度為30-200?nm，PEDOT:PSS空穴傳輸層厚度為40-80?nm，Au膜厚度為60-120?nm。

3.根據權利要求1所述的一種基于三元納米陣列的有機/無機雜化太陽電池，其特征在于：所述的空穴傳輸層優選由在MEH-PPV膜層上沉積PEDOT:PSS和異丙醇組成的混合液而得，所述的PEDOT:PSS和異丙醇的體積比為1:0.5-1.5。