[發明專利]一種下轉換晶體硅太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201310019710.4
• 申請日: 2013-01-18
• 公開（公告）號: CN103094394A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 陳朝;蔡麗晗;王榮;范寶殿;程浩然;任先培;鄭將輝
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0232;H01L31/18
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所 35200
• 代理人: 馬應森

1.一種下轉換晶體硅太陽能電池，其特征在于從下至上依次設有P⁺層、P層、N⁺層、SiN_x層和熒光薄膜層，在熒光薄膜層上設有電極，所述熒光薄膜層的原料組成為熒光粉和有機玻璃，所述熒光粉與有機玻璃的質量比為1∶10～20，所述熒光粉為單摻的Sr₂B₂O₅:xTb³⁺、Sr₂B₂O₅:xTb³⁺，xNa⁺；或共摻的Sr₂B₂O₅:x?Tb³⁺，xEu³⁺、Sr₂B₂O₅:xTb³⁺，xEu³⁺，xNa⁺，其中，0.01<x<0.1。

2.如權利要求1所述一種下轉換晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1）將有機玻璃倒入有機溶劑中，靜置，使有機玻璃溶解后加入熒光粉，得均勻透明的下轉換熒光材料漿料；

2）用膠布貼在晶體硅電池的主柵上，將步驟1）得到的下轉換熒光材料漿料旋涂在晶體硅電池上，再撕去膠布，在晶體硅電池上得下轉換熒光材料薄膜；

3）將樣品電池烘烤，再放在空氣中冷卻至室溫，即得下轉換晶體硅太陽能電池。

3.如權利要求2所述一種下轉換晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述有機溶劑采用丙酮。

4.如權利要求2所述一種下轉換晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述靜置的時間為20～40min。

5.如權利要求2所述一種下轉換晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述旋涂采用勻膠機旋涂，旋涂的轉速為6000～10000r/min，旋涂的時間為20～30s。

6.如權利要求2所述一種下轉換晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述下轉換熒光材料薄膜的厚度為5～20μm。

7.如權利要求2所述一種下轉換晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于在步驟3）中，所述燒烤是將樣品電池置于80～130°C干燥箱中烘烤5～15min。