[發明專利]用于半導體裝置的焊線

在審

• 申請號: 201310019596.5
• 申請日: 2013-01-18
• 公開（公告）號: CN103943584A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 杜嘉秦
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種用于半導體裝置的焊線，其特征在于：所述焊線包含：

一蕊線，其包含銅為主要成分；

一金屬層，設于所述蕊線上，所述金屬為錫、鋅、鎂或銦；以及

一擴散層，設于所述蕊線與所述金屬層之間，所述擴散層由所述蕊線與所述金屬層的金屬形成。

2.如權利要求1所述的用于半導體裝置的焊線，其特征在于：所述焊線另包含一抗氧化層位于所述焊線的最外層。

3.如權利要求1所述的用于半導體裝置的焊線，其特征在于：所述焊線另包含一金屬氧化層位于所述金屬層上，所述金屬氧化層由所述金屬層部分氧化形成。

4.如權利要求1所述的用于半導體裝置的焊線，其特征在于：所述蕊線包含至少99.9重量%的銅。

5.如權利要求1所述的用于半導體裝置的焊線，其特征在于：所述蕊線另包含錫、鋅、鎂或銦。

6.一種半導體裝置，其特征在于：所述半導體裝置包含：

一載板；

一半導體芯片，設于所述載板；及

一焊線，電性連接所述半導體芯片及所述載板；

其中所述焊線包含：

一蕊線，其包含銅為主要成分；

一金屬層，設于所述蕊線上，所述金屬為錫、鋅、鎂或銦；以及

一擴散層，設于所述蕊線與所述金屬層之間，所述擴散層由所述蕊線與所述金屬層的金屬形成。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：所述焊線另包含一抗氧化層位于所述焊線的最外層。

8.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：所述焊線另包含一金屬氧化層位于所述金屬層上，所述金屬氧化層由所述金屬層部分氧化形成。

9.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：所述蕊線包含至少99.9重量%的銅。

10.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：所述蕊線另包含錫、鋅、鎂或銦。