[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體激光器腔面鈍化方法及裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310019456.8 | 申請日： | 2013-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN103178440A | 公開（公告）日： | 2013-06-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王軍營 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安卓銘光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/028 | 分類號： | H01S5/028;C23C14/22;C23C14/30 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 710018 陜西省西安市經(jīng)*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體激光器 鈍化 方法 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體激光器的腔面鈍化方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
將半導(dǎo)體激光器巴條送入真空室，并進行抽真空；
往所述真空室中通入預(yù)定流量和比例的氫氣和氮氣混合氣；
使所述氫氣和氮氣混合氣形成等離子體，以利用所述等離子體對所述半導(dǎo)體激光器巴條的腔面進行離子鈍化處理；
在離子鈍化處理后的所述半導(dǎo)體激光器巴條的腔面上鍍設(shè)一層阻擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氫氣和氮氣混合氣中氫氣與氮氣的比例在1:4至1:20之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體的離子能量在20ev至500ev之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子鈍化處理的時間在30秒至30分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻擋層為非氧化物層。
6.一種半導(dǎo)體激光器的腔面鈍化裝置，其特征在于，包括：
真空室，用于容納半導(dǎo)體激光器巴條，并進行抽真空；
氣體源，用于往所述真空室中通入預(yù)定流量和比例的氫氣和氮氣混合氣；
霍爾離子源，用于使所述氫氣和氮氣混合氣形成等離子體，以對所述半導(dǎo)體激光器巴條的腔面進行離子鈍化處理；
鍍膜設(shè)備，用于在離子鈍化處理后的所述半導(dǎo)體激光器巴條的腔面上鍍設(shè)一層阻擋層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述氫氣和氮氣混合氣中的氫氣與氮氣比例在1:4至1:20之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述等離子體的離子能量在20ev至500ev之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述離子鈍化處理的時間在30秒至30分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述阻擋層為非氧化物層。
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