[發(fā)明專利]基于非對稱相移光柵的窄線寬DFB半導(dǎo)體激光器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310019361.6 | 申請日： | 2013-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN103078250A | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉建國;郭錦錦;黃寧博;孫文惠;鄧曄;祝寧華 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/12 | 分類號： | H01S5/12;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 對稱 相移 光柵 窄線寬 dfb 半導(dǎo)體激光器 | ||
1.一種基于非對稱相移光柵的窄線寬DFB半導(dǎo)體激光器，包括：
一緩沖層；
一下波導(dǎo)層，該下波導(dǎo)層制作在緩沖層上；
一多量子阱有源層，該多量子阱有源層制作在下包層上；
一光柵層，該光柵層制作在多量子阱有源層上；
一上波導(dǎo)層，該上波導(dǎo)層制作在光柵層上；
一包層，該包層制作在上波導(dǎo)層上；
一接觸層，該接觸層制作在包層上；
一P電極，該P(yáng)電極制作在接觸層上；
一N電極，該N電極制作在緩沖層的背面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于非對稱相移光柵的窄線寬DFB半導(dǎo)體激光器，其中該緩沖層的材料為選擇III-V族化合物半導(dǎo)體材料、II-VI族化合物半導(dǎo)體材料、IV-VI族化合物半導(dǎo)體材料或四元化合物半導(dǎo)體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于非對稱相移光柵的窄線寬DFB半導(dǎo)體激光器，其中該多量子阱有源層和上波導(dǎo)層之間的光柵層的兩側(cè)為一斜面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于非對稱相移光柵的窄線寬DFB半導(dǎo)體激光器，其中所述的光柵層兩側(cè)的斜面為平行結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于非對稱相移光柵的窄線寬DFB半導(dǎo)體激光器，其中所述的光柵層兩側(cè)的斜面上鍍有增透膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于非對稱相移光柵的窄線寬DFB半導(dǎo)體激光器，其中所述的光柵層是非對稱結(jié)構(gòu)，其相移為λ/4或λ/8，λ為激光器的輸出波長。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于非對稱相移光柵的窄線寬DFB半導(dǎo)體激光器，其中光柵層兩側(cè)斜面的角度為6-12度。
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