[發明專利]一種高介電低損耗介質陶瓷及其制備方法

無效

• 申請號: 201310019324.5
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN103922728A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 馬雪剛;李遠亮;桑蓉櫟;陳穎;崔志敏;張慶軍
• 申請（專利權）人: 河北聯合大學
• 主分類號: C04B35/468
• 分類號: C04B35/468;C04B35/622;C04B41/88;H01B3/12
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技術領域

本發明涉及一種Ba_0.68-xSr_0.32Y_xTi_1-2xCo_2xO₃基電介質陶瓷材料及其制備方法，屬于電介質陶瓷技術。

背景技術

國內外對低介電溫度變化率陶瓷電容器的研究十分活躍，主要通過改變材料配方、工藝，摻雜某些其它離子達到材料改性的目的。Guixia?Dong等制備了一種介質瓷料(G.X.Dong，S.W?Ma，J.Du，et?al，Dielectric?properties?and?energy?storage?density?in?ZnO-doped?Ba_0.3Sr_0.7TiO₃ceramics，Ceramics?International，35(2009)：2069-2075)，其介質損耗雖然能低于0.26％，但其介電常數均不到1100；Haitao?Jiang研究了一種介質瓷料(H.T.Jiang，J.W.Zhai，X.J.Chou，et?al，Influence?of?Bi₂O₃and?CuO?addition?on?low-temperature?sintering?and?dielectric?properties?of?Ba_0.6Sr_0.4TiO₃ceramics，Materials?Research?Bulletin，44(2009)：566-570)，其介電常數在X7R材料大部分工作溫度區間只有2000左右，其介質損耗在X7R材料工作溫度區間內也并不理想；Juan?Li等制備了一種介質瓷料(J.Li，D.R.Jin，L.X.Zhou，et?al，Dielectric?properties?of?Barium?Strontium?Titanate(BST)ceramics?synthesized?by?using?mixed-phase?powders?calcined?at?varied?temperatures，Materials?Letters，76(2012)：100-102)，其介電常數能達到4000，介質損耗在X7R材料大部分工作溫度區間段內都在0.01以上。

綜上，現有的電容器用鐵電介質瓷料其介電綜合性能都不太理想，因此需要對現有的介質瓷料進行改性。

發明內容

本發明的目的在于提供一種Ba_0.68-xSr_0.32Y_xTi_1-2xCo_2xO₃基電介質陶瓷材料及其制備方法，以該方法制得電介質陶瓷，具有高介電常數、低介質損耗和材料重復性好的特點。

本發明是通過下述技術方案加以實現的，一種Ba_0.68-xSr_0.32Y_xTi_1-2xCo_2xO₃基電介質陶瓷材料，其特征在于由下列成分及其質量含量組成：

Ba_0.68-xSr_0.32Y_xTi_1-2xCo_2xO₃：99.2～99.9％，其中，x＝0～0.012；

MnO₂：(0.05～0.2)％；

MgO：(0.1～0.4)％。