[發明專利]一種去除硅材料表面雜質的方法無效
| 申請號： | 201310019237.X | 申請日： | 2013-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN103072991A | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發明（設計）人： | 郝勝智;董闖;秦穎 | 申請（專利權）人： | 大連理工大學 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大連理工大學專利中心 21200 | 代理人： | 李寶元;梅洪玉 |
| 地址： | 116024*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 去除 材料 表面 雜質 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種去除硅材料表面雜質的方法，利用強流脈沖電子束輻照處理硅材料，發揮表面蒸發去除雜質和熔體噴發去除深層雜質的雙重作用，獲得符合太陽能電池制造使用要求的表層高純多晶硅材料；其特征包括步驟如下：
（1）對預提純硅材料表面進行清理和烘干；
（2）將烘干后的硅材料放入強流脈沖電子束裝置的真空室中，抽真空到3.0×10-3?Pa；通入工作氣體，真空度達到1.0×10-2Pa；
（3）選擇強流脈沖電子束能量密度1~20J/cm2、脈沖寬度1~50μs，對硅材料表面進行脈沖輻照處理，脈沖處理次數不大于30。
2.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述的工作氣體是氧氣、氮氣、氫氣或氬氣。
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