[發(fā)明專利]一種溝槽半導(dǎo)體裝置及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310018668.4
• 申請(qǐng)日: 2013-01-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103943666A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朱江
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種溝槽半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：

襯底層，為半導(dǎo)體材料構(gòu)成；

漂移層，為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料構(gòu)成，位于襯底層之上；多個(gè)

溝槽，溝槽位于漂移層中；

半導(dǎo)體結(jié)，為PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)，位于溝槽內(nèi)壁；

歐姆接觸區(qū)，位于溝槽之間半導(dǎo)體材料上表面或溝槽側(cè)壁上部表面；

表面金屬層，位于器件上表面，將歐姆基礎(chǔ)區(qū)和半導(dǎo)體結(jié)表面電極相連。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽之間的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料寬度小于等于3um。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的半導(dǎo)體結(jié)為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料形成的PN結(jié)或第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與金屬形成肖特基勢(shì)壘結(jié)。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽內(nèi)壁半導(dǎo)體結(jié)可以完全為肖特基勢(shì)壘結(jié)或者完全為PN結(jié)。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽內(nèi)壁半導(dǎo)體結(jié)可以為側(cè)壁為肖特基勢(shì)壘結(jié)，同時(shí)溝槽底部為PN結(jié)。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽內(nèi)壁半導(dǎo)體結(jié)可以為側(cè)壁為絕緣層，同時(shí)溝槽底部為PN結(jié)。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽內(nèi)壁半導(dǎo)體結(jié)可以為側(cè)壁為半導(dǎo)體結(jié)，同時(shí)溝槽底部為絕緣層。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的歐姆接觸區(qū)可以位于溝槽之間半導(dǎo)體材料上表面。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的歐姆接觸區(qū)可以位于溝槽側(cè)壁上部表面，同時(shí)溝槽之間半導(dǎo)體材料上表面為絕緣層。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽底部可以設(shè)置條狀具有電荷補(bǔ)償功能的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料或具有電荷補(bǔ)償功能的絕緣材料。

11.如權(quán)利要求1所述的一種溝槽半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

1）在襯底層表面形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，然后在表面形成絕緣層；

2）進(jìn)行光刻腐蝕工藝去除表面部分絕緣層，進(jìn)行第一導(dǎo)電雜質(zhì)擴(kuò)散；

3）腐蝕表面薄絕緣層，然后刻蝕裸露半導(dǎo)體材料形成溝槽；

4）淀積金屬進(jìn)行燒結(jié)形成肖特基勢(shì)壘結(jié)，或者在溝槽內(nèi)壁設(shè)置第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料形成PN結(jié)。