[發明專利]相變合金材料的無損刻蝕方法有效
| 申請號： | 201310018505.6 | 申請日： | 2013-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN103094476A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發明（設計）人： | 李俊燾;劉波;宋志棠;馮高明;吳關平 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;C23F1/02;C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 合金材料 無損 刻蝕 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種相變合金材料的無損刻蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一半導體襯底；
在該半導體襯底上形成相變合金材料層；
在所述相變合金材料層的上表面形成刻蝕阻擋層；
圖形化所述刻蝕阻擋層，以使預設部分的相變合金材料層的表面暴露出來；
使暴露出來的相變合金材料層的表面浸沒于含有溴化氫與氦氣的刻蝕氣體中；
將所述刻蝕氣體激發成等離子體以刻蝕暴露出來的相變合金材料層至所述半導體襯底上。
2.根據權利要求1所述的相變合金材料的無損刻蝕方法，其特征在于，所述的相變合金材料是銻碲化合物或鍺碲化合物。
3.根據權利要求1所述的相變合金材料的無損刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為光刻膠、金屬硬掩膜或介電質硬掩膜。
4.根據權利要求1所述的相變合金材料的無損刻蝕方法，其特征在于，將所述刻蝕氣體激發成等離子體時，反應室壓力為1～100mT；離子體源功率為300～700瓦；偏置電壓為250～400伏。
5.根據權利要求4所述的相變合金材料的無損刻蝕方法，其特征在于，使暴露出來的相變合金材料層的表面浸沒于含有溴化氫與氦氣的刻蝕氣體中時，溴化氫流量為100～250sccm，氦氣流量為100～500sccm。
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