[發(fā)明專利]等離子體處理裝置以及等離子體處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310018419.5
• 申請(qǐng)日: 2013-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN103632914A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 森本未知數(shù);大越康雄;大平原勇造;小野哲郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立高新技術(shù)
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/311
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 許海蘭

1.一種等離子體處理裝置，具備：

真空容器；

第1高頻電源，用于在所述真空容器內(nèi)生成等離子體；

試樣臺(tái)，配置于所述真空容器內(nèi)來載置試樣；以及

第2高頻電源，對(duì)所述試樣臺(tái)供給高頻電力，

所述等離子體處理裝置的特征在于：

所述第1高頻電源或者所述第2高頻電源的至少某一個(gè)供給進(jìn)行了時(shí)間調(diào)制的高頻電力，控制所述時(shí)間調(diào)制的參數(shù)中的一個(gè)具有2個(gè)以上的不同的控制范圍，所述控制范圍中的一個(gè)是用于進(jìn)行高精度的控制的控制范圍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述參數(shù)是占空比、重復(fù)頻率、ON時(shí)間或者OFF時(shí)間中的至少某一個(gè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第1高頻電源或者所述第2高頻電源的至少某一個(gè)具備A/D轉(zhuǎn)換器和脈沖發(fā)生器，

所述A/D轉(zhuǎn)換器分別在不同的定時(shí)接收所述2個(gè)以上的不同的控制范圍，

所述脈沖發(fā)生器發(fā)生在通過控制范圍切換信號(hào)從所述A/D轉(zhuǎn)換器接收到的所述2個(gè)以上的不同的控制范圍的各個(gè)中選擇出的控制范圍內(nèi)控制的脈沖。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述第1高頻電源或者所述第2高頻電源的至少某一個(gè)是所述第2高頻電源。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述第1高頻電源或者所述第2高頻電源中的至少某一個(gè)具備與所述2個(gè)以上的不同的控制范圍的數(shù)量相同的數(shù)量的高頻電源。

6.一種等離子體處理方法，使用了等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置具備：

真空容器；

第1高頻電源，用于在所述真空容器內(nèi)生成等離子體；

試樣臺(tái)，配置于所述真空容器內(nèi)來載置試樣；以及

第2高頻電源，對(duì)所述試樣臺(tái)供給高頻電力，

所述等離子體處理方法特征在于：

所述第1高頻電源或者所述第2高頻電源的至少某一個(gè)供給進(jìn)行了時(shí)間調(diào)制的高頻電力，通過具有2個(gè)以上的不同的控制范圍的參數(shù)來控制所述時(shí)間調(diào)制，所述控制范圍的一個(gè)是用于進(jìn)行高精度的控制的控制范圍。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體處理方法，其特征在于：未施加所述進(jìn)行了時(shí)間調(diào)制的高頻電力的期間是10～1000ms。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體處理方法，其特征在于：未施加所述進(jìn)行了時(shí)間調(diào)制的高頻電力的期間大于等于反應(yīng)生成物的滯留時(shí)間。

9.一種等離子體處理方法，在對(duì)具有Poly－Si膜、SiO₂膜、無定形碳膜、SiN膜以及BARC膜的試樣供給進(jìn)行了時(shí)間調(diào)制的高頻電力的同時(shí)進(jìn)行等離子體蝕刻，其特征在于：

重復(fù)頻率具有需要高精度的控制的第一控制范圍和無需高精度的控制的第二控制范圍，

占空比具有需要高精度的控制的第三控制范圍和無需高精度的控制的第四控制范圍，

在所述第一控制范圍以及所述第四控制范圍內(nèi)對(duì)所述SiN膜進(jìn)行蝕刻，

在所述第二控制范圍以及所述第四控制范圍內(nèi)對(duì)所述無定形碳膜進(jìn)行蝕刻，

在所述第一控制范圍以及所述第三控制范圍內(nèi)對(duì)所述SiO₂膜進(jìn)行蝕刻，

在所述第一控制范圍以及所述第三控制范圍內(nèi)對(duì)所述Poly－Si膜的一部分進(jìn)行蝕刻。