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[發(fā)明專利]扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)在審

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 201310018216.6 申請日: 2013-01-17
公開(公告)號: CN103779235A 公開(公告)日: 2014-05-07
發(fā)明(設(shè)計)人: 林俊成 申請(專利權(quán))人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號: H01L21/48 分類號: H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488
代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孫征
地址: 中國臺*** 國省代碼: 中國臺灣;71
權(quán)利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 扇出晶圓級 封裝 結(jié)構(gòu)
【權(quán)利要求書】:

1.一種用于形成封裝結(jié)構(gòu)的方法,包括:

在載體上方施加管芯,所述管芯具有多個安裝件;

在所述載體上提供一個或多個通孔;

在所述載體上方和所述通孔周圍形成模制襯底;

減少所述模制襯底與所述載體相對的第一側(cè)并在所述模制襯底與所述載體相對的第一側(cè)處露出所述一個或多個通孔;

在所述模制襯底的第一側(cè)上形成再分布層(RDL),所述RDL具有多個RDL接觸焊盤;以及

在所述模制襯底與第一側(cè)相對的第二側(cè)處露出所述一個或多個通孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述模制襯底包括粘合層,所述管芯被施加至所述粘合層,并且所述模制襯底形成在所述粘合層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,在所述載體上提供所述一個或多個通孔包括將所述一個或多個通孔芯片施加于所述粘合層,每個通孔芯片都具有一個或多個通孔以及設(shè)置在所述通孔芯片中以隔開所述一個或多個通孔的至少一個介電層,在將通孔芯片施加于所述粘合層之前形成所述通孔芯片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,減少所述模制襯底的所述第一側(cè)進一步包括露出所述管芯上的所述多個安裝件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,形成所述RDL進一步包括形成接合間距大于所述管芯上的所述多個安裝件的接合間距的所述RDL接觸焊盤。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進一步包括在所述模制襯底的所述第二側(cè)處安裝第二結(jié)構(gòu),所述第二結(jié)構(gòu)具有設(shè)置在其上并與至少一個通孔電通信的至少一個管芯。

7.一種用于形成封裝結(jié)構(gòu)的方法,包括:

提供載體,在所述載體的第一側(cè)上具有粘合層;

將管芯施加于所述粘合層,所述管芯具有多個安裝件;

在所述粘合層上提供通孔;

在所述載體上方以及所述管芯和所述通孔周圍形成模制襯底;

在所述模制襯底的第一側(cè)上形成再分布層(RDL),所述RDL具有多個RDL接觸焊盤以及至少一條導線;

將多個封裝安裝件施加于所述RDL接觸焊盤;以及

在所述管芯上方和所述通孔上安裝第二結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,提供所述通孔包括在所述粘合層上提供一個或多個通孔芯片,每個通孔芯片都包括至少一個通孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,提供所述一個或多個通孔芯片包括:在將所述一個或多個通孔芯片放置在所述粘合層上之前,形成獨立于所述載體和所述粘合層并遠離所述載體和所述粘合層的所述一個或多個通孔芯片。

10.一種封裝件,包括:

模制襯底;

管芯,具有至少一個安裝件,所述管芯至少部分地設(shè)置在所述模制襯底內(nèi);

至少一個通孔,設(shè)置在所述模制襯底內(nèi)并具有位于所述模制襯底的第一側(cè)處的第一端以及位于所述模制襯底與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)處的第二端;以及

第一再分布層(RDL),形成在所述模制襯底的所述第一側(cè)上,所述RDL具有多個RDL接觸焊盤以及與所述RDL接觸焊盤電接觸的多條導線。

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