[發(fā)明專利]使用通過襯底去除或者轉(zhuǎn)移的標(biāo)準(zhǔn)絕緣體上硅工藝的硅光子晶片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310018024.5
• 申請日: 2013-01-17
• 公開（公告）號: CN103258735A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: F·E·多安;B·G·李;A·V·雷利亞科夫;C·L·朔;M·A·陶本布拉特
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機器公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/8238;H01L27/04
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 于靜;張亞非

1.一種用于處理硅光子晶片的方法，所述方法包括：

接收用于處理的硅光子晶片，其包括有源硅光子層、薄掩埋氧化物層和硅襯底，其中所述薄掩埋氧化物層位于所述有源硅光子層和所述硅襯底之間；

接收包括有源電層的電互補金屬氧化物半導(dǎo)體晶片；

將所述硅光子晶片的所述有源硅光子層倒裝芯片接合到所述電互補金屬氧化物半導(dǎo)體晶片的所述有源電層；以及

從所述硅光子晶片去除所述硅襯底以暴露所述薄掩埋氧化物層的背側(cè)表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括：

將低光學(xué)折射率襯背晶片添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物層的暴露的背側(cè)表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物層的所述暴露的背側(cè)表面的所述低光學(xué)折射率襯背晶片是玻璃襯底晶片。

4.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物層的所述暴露的背側(cè)表面的所述低光學(xué)折射率襯背晶片是硅襯底晶片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物層的所述暴露的背側(cè)表面的所述硅襯底晶片包括厚氧化物層，其中所述厚氧化物層附著到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中包括在所述硅襯底晶片上的所述厚氧化物層的厚度大于或者等于一微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述薄掩埋氧化物層的厚度小于或者等于500納米。

8.一種用于處理硅光子晶片的方法，所述方法包括：

接收用于處理的硅光子晶片，其包括有源硅光子層、薄掩埋氧化物層和硅襯底，其中所述薄掩埋氧化物層位于所述有源硅光子層和所述硅襯底之間；

將所述硅光子晶片的所述有源硅光子層接合到臨時玻璃處理晶片；

從所述硅光子晶片去除所述硅襯底以暴露所述薄掩埋氧化物層的背側(cè)表面；

將低光學(xué)折射率襯背晶片添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物層的所述暴露的背側(cè)表面；以及

在將所述低光學(xué)折射率襯背晶片添加到所述薄掩埋氧化物層的所述暴露的背側(cè)之后，從所述臨時玻璃處理晶片脫離所述硅光子晶片的所述有源硅光子層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物層的所述暴露的背側(cè)表面的所述低光學(xué)折射率襯背晶片是玻璃襯底晶片。

10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物層的所述暴露的背側(cè)表面的所述低光學(xué)折射率襯背晶片是硅襯底晶片。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物層的所述暴露的背側(cè)表面的所述硅襯底晶片包括厚氧化物層，其中所述厚氧化物層附著到所述硅光子晶片的所述薄掩埋氧化物層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中包括在所述硅襯底晶片上的所述厚氧化物層的厚度大于或者等于一微米。

13.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述薄掩埋氧化物層的厚度小于或者等于500納米。

14.一種用于處理硅光子晶片的方法，所述方法包括：

接收用于處理的所述硅光子晶片，其包括有源硅光子層、薄掩埋氧化物層和硅襯底，其中所述薄掩埋氧化物層位于所述有源硅光子層和所述硅襯底之間；

將所述硅光子晶片的所述有源硅光子層接合到臨時玻璃處理晶片；

在位于所述硅光子晶片的所述有源硅光子層內(nèi)的光子器件之下的選擇的位置處的所述硅襯底中蝕刻背側(cè)溝槽，以暴露在所述選擇的位置處的所述薄掩埋氧化物層的背側(cè)表面；

將低光學(xué)折射率襯背晶片添加到所述硅光子晶片的蝕刻的硅襯底；以及

在將所述低光學(xué)折射率襯背晶片添加到所述蝕刻的硅襯底之后，從所述臨時玻璃處理晶片脫離所述硅光子晶片的所述有源硅光子層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中所述電器件位于所述硅光子晶片的沒有通過所述蝕刻步驟去除所述硅襯底的位置處的所述有源硅光子層中。

16.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中添加到所述硅光子晶片的所述蝕刻的硅襯底的所述低光學(xué)折射率襯背晶片是玻璃襯底晶片。