[發明專利]有源矩陣有機發光二極管面板及其制造方法

有效

• 申請號: 201310017822.6
• 申請日: 2013-01-15
• 公開（公告）號: CN103915466B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 黃大勇;熊志勇;王國立
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 馬曉亞

1.一種有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，包括：基板，在所述基板上的非像素區域和像素區域；設置于所述非像素區域的薄膜晶體管；保護層，形成在非像素區域和像素區域，并覆蓋于所述薄膜晶體管上方；在所述保護層之上的像素定義層和有機發光單元，所述像素定義層設置于所述非像素區域，有機發光單元設置于所述像素區域，其中，至少在所述非像素區域設置有反射層。

2.根據權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，所述反射層設置于所述保護層與所述像素定義層之間，且所述反射層僅設置于非像素區域。

3.根據權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，所述保護層包括覆蓋所述薄膜晶體管的鈍化層和形成于所述鈍化層上的平坦化層。

4.根據權利要求3所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，所述反射層形成于所述鈍化層和平坦化層之間，且所述反射層僅設置于非像素區域。

5.根據權利要求3所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，所述平坦化層包括下平坦化層和上平坦化層兩層結構，反射層形成于下平坦化層和上平坦化層之間，且所述反射層僅設置于非像素區域。

6.根據權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，在所述基板之上還包括緩沖層，所述薄膜晶體管位于緩沖層之上，所述反射層設置于所述基板與緩沖層之間。

7.根據權利要求6所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括設置于緩沖層之上的溝道層，在所述溝道層之上的柵絕緣層和在所述柵絕緣層之上的柵電極，覆蓋所述柵電極的層間絕緣膜，形成在所述層間絕緣膜上的源漏極通過第一接觸孔與溝道層電連接。

8.根據權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，所述反射層的材料為如銀、鋁、鎳、鉻、鉑等的金屬。

9.根據權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，所述反射層的厚度在0.05~10μm之間

10.根據權利要求7所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，所述溝道層的材料采用低溫多晶硅。

11.一種有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板，所述基板包括非像素區域和像素區域；

至少在所述基板的非像素區域形成反射層；

在所述反射層上形成薄膜晶體管；

形成覆蓋所述薄膜晶體管和反射層的保護層；

在所述保護層上形成像素定義層和有機發光單元，所述像素定義層設置于非像素區域，有機發光單元設置于所述像素區域。

12.根據權利要求11所述的有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，其特征在于，至少在所述基板的非像素區域形成反射層之后，還包括：在所述反射層上形成緩沖層。

13.根據權利要求11所述的有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶體管上形成保護層包括：在所述薄膜晶體管上形成鈍化層；在所述鈍化層上形成平坦化層。

14.根據權利要求11所述的有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，其特征在于，所述反射層的材料采用如銀、鋁、鎳、鉻、鉑等的金屬。

15.根據權利要求11所述的有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，其特征在于，所述反射層的厚度在0.05-10μm之間。

16.一種有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板，所述基板包括非像素區域和像素區域；

在所述基板上形成薄膜晶體管；

形成所述薄膜晶體管的保護層；

在所述保護層上形成反射層；

圖案化反射層，使反射層只覆蓋所述非像素區域；

在所述反射層上形成像素定義層和有機發光單元，所述像素定義層設置于

非像素區域，有機發光單元設置于所述像素區域。

17.根據權利要求16所述的有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶體管上形成保護層包括：在所述薄膜晶體管上形成鈍化層；在所述鈍化層上形成平坦化層。