[發(fā)明專利]一種Nandflash燒寫方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310017633.9 | 申請日： | 2013-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN103049298A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 施富強;郭萬佳;丁寧;周煜楓;張英杰;鮮海瀅;胡代軍;石宇 | 申請（專利權）人： | 四川省安全科學技術研究院 |
| 主分類號： | G06F9/445 | 分類號： | G06F9/445 |
| 代理公司： | 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 610012 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 nandflash 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種Nandflash燒寫方法，具體包括如下步驟：
S1.啟動母板，將引導程序和啟動程序升級到Nandflash；
S2.啟動系統(tǒng)，并在啟動系統(tǒng)之后完成文件系統(tǒng)的升級；
S3.計算出升級后的各個分區(qū)的大小，按照計算出的各分區(qū)大小，分別提取各分區(qū)映像文件；
S4.使用燒寫器，完成Nandflash的燒寫。
2.根據權利要求1所述的Nandflash燒寫方法，其特征在于，步驟S4所述的燒寫器支持分區(qū)域燒寫映像文件。
3.根據權利要求1所述的Nandflash燒寫方法，其特征在于，步驟S4所述的燒寫器在燒寫過程中，發(fā)現引導區(qū)有壞塊時提示Nandflash芯片不可用。
4.根據權利要求1所述的Nandflash燒寫方法，其特征在于，步驟S4所述的燒寫器在燒寫過程中，發(fā)現壞塊表區(qū)有壞塊時提示Nandflash芯片不可用。
5.根據權利要求4所述的Nandfash燒寫方法，其特征在于，壞塊表區(qū)具體有4個塊。
6.根據權利要求1所述的Nandflash燒寫方法，其特征在于，步驟S3中提取各分區(qū)映像文件時，如果判斷有壞塊存在，把提取的大小加上壞塊個數所占存儲大小，重新進行提取。
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