[發明專利]一種鑄造多晶硅錠的熱場結構

無效

• 申請號: 201310017396.6
• 申請日: 2013-01-18
• 公開（公告）號: CN103014835A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 孫海知;邢國強;郭寬新;潘歡歡;宋江
• 申請（專利權）人: 奧特斯維能源（太倉）有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種鑄造多晶硅錠的熱場結構，其特征在于：包括石英坩堝（1）、隔熱板（2）、側加熱器（9）、側隔熱層（6）、熱交換臺（5），所述的石英坩堝（1）設于熱交換臺（5）上，所述的石英坩堝（1）四周設有隔熱板（2），所述的隔熱板（1）外側設有側隔熱層（6），隔熱板（2）固定在側隔熱層（6）底部，所述的石英坩堝（1）上部設有上隔熱層（7），下部設有下隔熱層（8），所述的隔熱板（2）與側隔熱層（6）中間設有側加熱器（9），所述的上隔熱層（7）與石英坩堝（1）之間設有上加熱器（10）。

2.根據權利要求1所述的一種鑄造多晶硅錠的熱場結構，其特征在于：所述的隔熱板（2）為環形結構。

3.根據權利要求1所述的一種鑄造多晶硅錠的熱場結構，其特征在于：所述的隔熱板（2）其外壁與側加熱器（9）之間的距離大于1cm，其內壁與石英坩堝（1）外壁之間的距離小于5cm。

4.根據權利要求1所述的一種鑄造多晶硅錠的熱場結構，其特征在于：所述的石英坩堝（1）外壁設有坩堝護板（12）。

5.根據權利要求1所述的一種鑄造多晶硅錠的熱場結構，其特征在于：所述的隔熱板（2）也可以單獨設置升降機構。