[發(fā)明專利]一種存儲(chǔ)器電路及其操作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310017372.0
• 申請日: 2013-01-17
• 公開（公告）號: CN103943136B
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳漢松;洪俊雄;陳重光
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C8/08
• 分類號: G11C8/08
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 任巖

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般是有關(guān)于一種存儲(chǔ)器集成電路，且特別是有關(guān)于一種存儲(chǔ)器集成電路的字線驅(qū)動(dòng)器。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器集成電路以字線驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的字線存取存儲(chǔ)器單元。為了減低芯片的尺寸以及更嚴(yán)格的功率要求的趨勢，兩個(gè)晶體管(2T)的字線驅(qū)動(dòng)器成為另一種選擇。

然而，眾所周知2T字線驅(qū)動(dòng)器的晶體管的柵極介電層承受大的電場應(yīng)力。舉例來說，美國專利局公開號2011/0149675設(shè)計(jì)的2T字線驅(qū)動(dòng)器需要負(fù)的輸入偏壓，以在通過2T字線驅(qū)動(dòng)器的p型晶體管放電一字線時(shí)，導(dǎo)通2T字線驅(qū)動(dòng)器的p型晶體管。若設(shè)計(jì)的2T字線驅(qū)動(dòng)器沒有負(fù)的輸入偏壓，2T字線驅(qū)動(dòng)器的p型晶體管將不會(huì)有足夠長的時(shí)間將字線放電至地。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明一般是有關(guān)于一種存儲(chǔ)器集成電路，且特別是有關(guān)于一種存儲(chǔ)器集成電路的字線驅(qū)動(dòng)器。

本發(fā)明的一方面提供一種存儲(chǔ)器電路。該存儲(chǔ)器電路包括一個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器及一個(gè)控制電路。該字線驅(qū)動(dòng)器接收一第一電壓參考信號、一第二電壓參考信號以及一輸入信號。該字線驅(qū)動(dòng)器具有一輸出端，該輸出端耦接至一字線。該控制電路，通過施加該輸入信號至該字線驅(qū)動(dòng)器的輸入端以被設(shè)置為不選擇該字線。舉例來說，在一寫入操作期間，該字線不被選擇以指示不被寫入的字線，而另一字線被選擇以被寫入。如下列討論的內(nèi)容，通過分享同一電壓極性，晶體管(例如字線驅(qū)動(dòng)器的p型晶體管)上的電壓應(yīng)力會(huì)被減少。

本發(fā)明的另一方面提供一種操作存儲(chǔ)器的方法說明如下。

一字線驅(qū)動(dòng)器接收一第一電壓參考信號、一第二電壓參考信號以及一輸入信號。該字線驅(qū)動(dòng)器具有一輸出端，該輸出端耦接至一字線。且通過施加該輸入信號至該字線驅(qū)動(dòng)器的輸入端以不選擇該字線。其中該輸入信號具有至少一選擇值及一不選擇值其中之一，該選擇值及該不選擇值在一寫入操作期間具有一相同電壓極性。

本發(fā)明的另一方面提供一種存儲(chǔ)器電路。該存儲(chǔ)器電路包括一個(gè)具有第一p型晶體管及第一n型晶體管的字線驅(qū)動(dòng)器以及一控制電路。該第一p型晶體管，具有一第一電流輸出端用以接收一第一電壓參考信號。該第一n型晶體管，具有一第二電流輸出端用以接收一第二電壓參考信號。其中該第一p型晶體管及該第一n型晶體管電耦接在一起作為一第一互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)反流器。該第一互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)反流器具有一第一輸入端用以接收一輸入信號，該第一互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)反流器具有一第一輸出端耦接至一字線。

該字線驅(qū)動(dòng)器被設(shè)置為接收多個(gè)不選擇信號的任何一個(gè)足以不選擇對應(yīng)的字線其中之一。該控制電路通過施加該第一電壓參考信號至該第一p型晶體管的第一電流輸出端以被設(shè)置為不選擇該字線，且該控制電路被設(shè)置為不選擇該字線，通過施加該輸入信號至該第一互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)反流器的該第一輸入端。

該第一電壓參考信號具有至少一第一參考值及一第二參考值其中之一，該第一參考值大于該第二參考值。該輸入信號具有至少一選擇值及一不選擇值其中之一，該選擇值及該不選擇值在一寫入操作期間具有與第一參考電值相同的一相同電壓極性。

這些方面的不同實(shí)施例討論如下

依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，在該字線不被選擇而另一字線被選擇的一操作期間，該控制電路防止該字線僅通過該字線驅(qū)動(dòng)器的一p型晶體管放電。通過相似尺寸的晶體管，通過p型晶體管放電慢于通過n型晶體管放電。不被選擇的字線通過防止僅通過p型晶體管放電，以使放電較快。

依據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例，該輸入信號具有至少一選擇值(例如用以指示該字線會(huì)被寫入)及一不選擇值(例如用以指示該字線不會(huì)被寫入)其中之一。該選擇值及該不選擇值在一寫入操作期間具有一相同電壓極性。

依據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例，該第一電壓參考信號是從一總體字線接收。該總體字線選擇或不選擇位置互相接近的多條字線。

依據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例，該字線不被選擇，是反應(yīng)于該控制電路施加該第一電壓參考信號至該字線驅(qū)動(dòng)器的該第一p型晶體管的一第一電流輸送端。

依據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例，該字線被選擇，是反應(yīng)于該控制電路施加該輸入信號，該輸入信號具有一選擇值用以導(dǎo)通該字線驅(qū)動(dòng)器的該第一p型晶體管以及該字線驅(qū)動(dòng)器的該第一n型晶體管。通過控制輸入信號(如圖1所示的信號PP)以追蹤NMOS晶體管的閾值電壓，在p型晶體管及n型晶體管皆導(dǎo)通時(shí)，防止過多的漏電。接著，確保NMOS導(dǎo)通狀態(tài)使漏電維持在說明目標(biāo)規(guī)格的高邊界。