[發明專利]互連結構及其制造方法在審
| 申請號： | 201310017093.4 | 申請日： | 2013-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN103943599A | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發明（設計）人： | 聶鵬飛;粟雅娟;朱慧瓏;趙超;賈昆鵬;楊杰 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 互連 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種互連結構，包括：
位于襯底上的下層布線結構；
位于下層布線結構上的屏蔽層，其中屏蔽層包括石墨烯；
位于屏蔽層上的上層布線結構。
2.如權利要求1的互連結構，其中，石墨烯為單晶結構或多層結構。
3.如權利要求1的互連結構，其中，下層布線結構與上層布線結構交錯或者重合。
4.如權利要求1的互連結構，其中，下層布線結構和/或上層布線結構包括：第一絕緣層；位于第一絕緣層上的刻蝕停止層；位于刻蝕停止層上的第二絕緣層；穿透第二絕緣層、刻蝕停止層、第一絕緣層的溝槽，其中溝槽中填充具有擴散阻擋層以及互連金屬。
5.如權利要求4的互連結構，其中，擴散阻擋層包括Ti、Ta、TiN、TaN；互連金屬包括選自Co、Ni、Cu、Al、Pd、Pt、Ru、Re、Mo、Ta、Ti、Hf、Zr、W、Ir、Eu、Nd、Er、La的金屬單質、或這些金屬的合金以及這些金屬的氮化物。
6.一種互連結構的制造方法，包括：
在襯底上形成下層布線結構；
在下層布線結構上形成屏蔽層，其中屏蔽層包括石墨烯；
在屏蔽層上形成上層布線結構。
7.如權利要求1的互連結構的制造方法，其中，石墨烯為單晶結構或多層結構。
8.如權利要求1的互連結構的制造方法，其中，下層布線結構與上層布線結構交錯或者重合。
9.如權利要求6的互連結構的制造方法，其中，形成下層布線結構和/或上層布線結構的步驟進一步包括：形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成刻蝕停止層；在刻蝕停止層上形成第二絕緣層；刻蝕第二絕緣層、刻蝕停止層、第一絕緣層形成溝槽；在溝槽中依次填充形成擴散阻擋層以及互連金屬。
10.如權利要求9的互連結構的制造方法，其中，擴散阻擋層包括Ti、Ta、TiN、TaN；互連金屬包括選自Co、Ni、Cu、Al、Pd、Pt、Ru、Re、Mo、Ta、Ti、Hf、Zr、W、Ir、Eu、Nd、Er、La的金屬單質、或這些金屬的合金以及這些金屬的氮化物。
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