[發明專利]一種太陽電池復合減反射膜的制備工藝

無效

• 申請號: 201310016893.4
• 申請日: 2013-01-17
• 公開（公告）號: CN103066161A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 楊雯;自興發;楊培志;劉瑞明;王海蓉
• 申請（專利權）人: 云南師范大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 昆明慧翔專利事務所 53112
• 代理人: 程韻波;鄧麗春

1.?一種太陽電池復合減反射膜的制備工藝，首先，在玻璃基底上采用脈沖反應磁控濺射在基底上沉積TiO₂-ZnO復合膜層；然后，依次采用脈沖反應磁控濺射層疊沉積TiO₂膜層、SiO₂膜層及MgF₂膜層；最后，將四層膜系結構的減反射薄膜樣品放入退火爐內進行退火處理，得到多層減反射膜,?其特征在于:其按以下步驟實施,

（1）以純度為99.999％的Ar和O₂作為濺射氣體和反應氣體，以鈦靶和鋅靶為靶材，采用脈沖反應磁控濺射在玻璃基底上沉積TiO₂-ZnO復合膜層；

(2)?以純度為99.999％的Ar和O₂作為濺射氣體和反應氣體，以鈦(Ti)靶為靶材，采用脈沖反應磁控濺射在TiO₂-ZnO復合膜層上沉積TiO₂?膜層；

（3）以純度為99.999％的Ar作為濺射氣體，以純度為99.999％的SiO₂靶為靶材，采用脈沖反應磁控濺射在TiO₂膜層上沉積SiO₂膜層；

（4）以純度為99.999％的Ar作為濺射氣體，以純度為99.99％的MgF₂化合物單靶為靶材，采用脈沖反應磁控濺射在SiO₂膜層上沉積MgF₂膜層；

（5）沉積完的減反射膜退火處理：將沉積品置于退火爐內，并充入流量40sccm的氮氣，采用500^oC爐溫退火5?min,?得復合減反射膜成品。

2.根據權利要求1所述的一種太陽電池復合減反射膜的制備工藝，其特征在于:?

（1）將K9玻璃（30mm×50mm×1mm）基底先用洗滌劑進行清洗，再依次采用丙酮、無水乙醇及去離子水各超聲清洗15分鐘,最后在密封干凈的干燥箱中烘干；

（2）將洗凈的玻璃基底放入濺射室內，濺射靶和基底的距離調整為10cm，然后將濺射室本底真空度抽至6×10^－4Pa；

（3）以純度為99.999％的Ar和O₂作為濺射氣體和反應氣體，將Ar和O₂比調至4：1，濺射室工作壓強為1Pa，以鈦靶和鋅靶為靶材，鈦靶和鋅靶的功率均為50W，采用脈沖反應磁控濺射方式濺射40min，在基底上沉積TiO₂-ZnO復合膜層,厚為180nm；然后關閉鋅靶濺射電源，將Ar和O₂比調至2：1，以鈦靶為靶材，靶功率為50W，采用脈沖反應磁控濺射方式濺射30min，在TiO₂-ZnO復合膜層上沉積TiO₂?,厚為40nm，得到TiO₂-ZnO∕TiO₂復合膜；

（4）將TiO₂-ZnO∕TiO₂復合膜放入濺射室內，濺射靶和基底的距離調整為10cm，將濺射室本底真空度抽至6×10^－4Pa；以純度為99.999％的Ar和O₂作為濺射氣體和反應氣體，將Ar和O₂比調至2：1，濺射室工作壓強調至1Pa；以純度為99.999％的SiO₂靶為靶材，靶功率為40W，然后采用脈沖反應磁控濺射方式濺射20min，在TiO₂-ZnO∕TiO₂復合膜層上沉積SiO₂膜層,厚為50nm，得到TiO₂-ZnO∕TiO₂∕SiO₂復合膜；

（5）將TiO₂-ZnO∕TiO₂∕SiO₂復合膜放入濺射室內，濺射靶和基底的距離調整為10cm，將濺射室本底真空度抽至6×10^－4Pa；以純度為99.999％的Ar作為濺射氣體，濺射室工作壓強調至1Pa；以純度為99.99％的MgF₂化合物單靶為靶材，靶功率為60W，然后采用脈沖反應磁控濺射方式濺射50min，在SiO₂膜層上沉積MgF₂膜層,厚為230nm，得到TiO₂-ZnO∕TiO₂∕SiO₂∕MgF₂復合膜成品；

（6）減反射薄膜成品退火處理：將TiO₂-ZnO∕TiO₂∕SiO₂∕MgF₂復合膜樣品置于快速退火爐內，并充入氮氣（流量40sccm），采用500^oC爐溫退火5min；

（7）取出復合膜樣品自然冷卻至室溫，得到四層膜系結構的TiO₂-ZnO∕TiO₂∕SiO₂∕MgF₂減反射膜。