[發明專利]制造非易失性存儲器件的方法

有效

• 申請號: 201310016706.2
• 申請日: 2013-01-16
• 公開（公告）號: CN103594423B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 杜鉉植
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 石卓瓊,俞波

1.一種制造非易失性存儲器件的方法，包括以下步驟：

在襯底之上形成交替層疊有多個第一層間絕緣層和多個犧牲層的結構；

形成構造為穿通所述結構的主溝道孔；

在所述主溝道孔的內壁上順序地形成初級電荷陷阱層、隧道絕緣層和溝道層；

形成構造為穿通每個主溝道孔的兩側的所述多個犧牲層和所述多個第一層間絕緣層的溝槽；以及

通過將所述第一層間絕緣層的內側上的所述初級電荷陷阱層氧化，來形成絕緣氧化物層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，針對每個單元，所述初級電荷陷阱層被所述絕緣氧化物層分隔開。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述初級電荷陷阱層包括硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述初級電荷陷阱層包括基于氮化物的材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述絕緣氧化物層的步驟包括以下步驟：

去除被所述溝槽暴露出來的所述第一層間絕緣層；

將因去除了所述第一層間絕緣層而暴露出來的所述初級電荷陷阱層氧化；以及

在去除了所述第一層間絕緣層的空間中形成第二層間絕緣層。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層包括刻蝕速率與所述第一層間絕緣層的刻蝕速率不同的材料。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

在形成所述絕緣氧化物層之后，去除被所述溝槽暴露出來的所述犧牲層；和

在去除了所述犧牲層的空間中順序地形成電荷阻擋層和柵電極。

8.根據權利要求3所述的方法，還包括以下步驟：

在形成所述絕緣氧化物層之后，去除被所述溝槽暴露出來的所述犧牲層；和

將因去除了所述犧牲層而暴露出來的所述初級電荷陷阱層氮化。

9.根據權利要求5所述的方法，其中，所述第二層間絕緣層包括刻蝕速率與所述犧牲層的刻蝕速率不同的材料。

10.根據權利要求7所述的方法，還包括：在形成所述柵電極之后在所述溝槽內形成絕緣層。

11.一種制造非易失性存儲器件的方法，包括以下步驟：

在襯底之上形成具有犧牲圖案的管道連接柵電極；

在所述管道連接柵電極之上形成交替層疊有多個第一層間絕緣層和多個犧牲層的結構；

通過選擇性刻蝕所述結構形成暴露出所述犧牲圖案的主溝道孔對；

通過去除所述犧牲圖案形成次溝道孔，所述次溝道孔被構造成與所述主溝道孔對耦接；

在所述主溝道孔對和所述次溝道孔的內壁上順序地形成初級電荷陷阱層、隧道絕緣層和溝道層；

在所述主溝道孔對的每個主溝道孔的兩側形成被構造成穿通所述多個犧牲層和所述多個第一層間絕緣層的溝槽；以及

通過將在所述第一層間絕緣層內側上的所述初級電荷陷阱層氧化，來形成絕緣氧化物層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，對于每個單元，所述初級電荷陷阱層被所述絕緣氧化物層分隔開。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，所述初級電荷陷阱層包括硅。

14.根據權利要求11所述的方法，其中，所述初級電荷陷阱層包括基于氮化物的材料。

15.根據權利要求11所述的方法，其中，形成所述絕緣氧化物層的步驟包括以下步驟：

去除被所述溝槽暴露出來的所述第一層間絕緣層；

將因去除了所述第一層間絕緣層而暴露出來的所述初級電荷陷阱層氧化；以及

在去除了所述第一層間絕緣層的空間中形成第二層間絕緣層。

16.根據權利要求11所述的方法，其中，所述犧牲層包括刻蝕速率與所述第一層間絕緣層的刻蝕速率不同的材料。

17.根據權利要求11所述的方法，還包括以下步驟：

在形成所述絕緣氧化物層之后，去除由被所述溝槽暴露出來的所述犧牲層；和

在去除了所述犧牲層的空間中順序地形成電荷阻擋層和柵電極。