[發(fā)明專利]發(fā)光二極管裝置及從一發(fā)光二極管增加光萃取的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310015591.5
• 申請(qǐng)日: 2013-01-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103258922A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳長(zhǎng)安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旭明光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/20;H01L33/02
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種從一發(fā)光二極管增加光萃取的方法，其特征在于，是包括：

將一第一n摻雜層沉積在一載具基板上；

將一Si_XN_y光罩沉積在該第一n摻雜層上，其中，該Si_XN_y光罩是具有多個(gè)開(kāi)孔，是使該第一n摻雜層部分暴露；

將一第二n摻雜層沉積在該Si_xN_y光罩上，以便該第二摻雜層是亦沉積在該多個(gè)開(kāi)孔；

將用于發(fā)光的一主動(dòng)層沉積在該第二摻雜層上；以及

將一p摻雜層沉積在該主動(dòng)層上，以便該Si_xN_y光罩是降低在以下至少其一中的缺陷：該第二n摻雜層、該主動(dòng)層以及該p摻雜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，沉積該Si_xN_y光罩包括臨場(chǎng)沉積法。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其特征在于，沉積該Si_xN_y光罩包括有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法，是使用Si_nH_2n+2結(jié)合NH₃的一衍生物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，用于沉積該Si_xN_y光罩的一生長(zhǎng)溫度為5到100℃，其是高于沉積該第一n摻雜層或是該第二n摻雜層的一生長(zhǎng)溫度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，該第一n摻雜層的一厚度是在0.1~10微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，選擇該Si_xN_y光罩的覆蓋范圍，以便在4~8微米的一生長(zhǎng)厚度之后恢復(fù)該第二n摻雜層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，沉積該Si_xN_y光罩包括經(jīng)由濺鍍以沉積多個(gè)個(gè)別的Si_XN_y區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，沉積該Si_xN_y光罩包括沉積一連續(xù)的Si_xN_y層，以及移除部分已沉積的該連續(xù)層以形成在該Si_XN_y光罩的多個(gè)開(kāi)孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，該第一n摻雜層、該第二n摻雜層以及該p摻雜層是包括氮化鎵。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，更進(jìn)一步包括：

移除部分的該p摻雜層及該主動(dòng)層，以使該第二n摻雜層的一部份暴露；以及將一p電極沉積在該p摻雜層上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其特征在于，更進(jìn)一步包括：

將一n電極沉積在該第二n摻雜層的該已暴露部分上。

12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，該Si_xN_y光罩是架構(gòu)來(lái)從該p摻雜層的一上表面增加光萃取。

13.一種發(fā)光二極管裝置，其特征在于，是包括：

一載具基板；

一第一n摻雜層，是設(shè)置在該載具基板上；

一Si_XN_y光罩，是設(shè)置在該第一n摻雜層上，其中，該Si_xN_y光罩具有多個(gè)開(kāi)孔以使該第一n摻雜層部分暴露；

一第二n摻雜層，是設(shè)置在該Si_xN_y光罩上，以便該第二n摻雜層是亦設(shè)置在該多個(gè)開(kāi)孔中；

一主動(dòng)層，是用以發(fā)射光線，該主動(dòng)層是設(shè)置在該第二n摻雜層上；以及

一p摻雜層，是設(shè)置在該主動(dòng)層上，其中，在該Si_xN_y光罩上的一第一缺陷密度是低于在該Si_XN_y光罩下的一第二缺陷密度。

14.根據(jù)權(quán)利要求13的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該第一n摻雜層的一厚度是在0.1~10微米范圍。