[發明專利]半導體封裝件的制法

有效

• 申請號: 201310015586.4
• 申請日: 2013-01-16
• 公開（公告）號: CN103915351A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 陳彥亨;張江城;黃榮邦;許習彰;廖宴逸
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;G03F7/20
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝件及其制法，尤指一種能提升曝光精確度的半導體封裝件制法及據此所得的半導體封裝件。

背景技術

隨著電子產業的蓬勃發展，現今電子產品均朝向微型化、多功能、高電性及高速運作的方向發展。例如，隨著前端半導體芯片工藝的集積化，半導體芯片的主動面上形成有密集的電極墊，以提供信號的輸入/輸出(I/O)。為了配合此一發展趨勢，后端半導體業者積極研發能利用互連結構將該等電極墊傳輸的信號扇出的半導體封裝件，例如扇出式封裝件。

在是種封裝件中，如芯片的半導體組件通常通過一封裝膠體鑲嵌至一承載件。之后，該承載件會被移除，并在該半導體組件上形成互連結構。如圖1A至圖1G所示，其顯示一種扇出式封裝件的制法。

如圖1A所示，提供一表面上依序形成有離型層11和膠層12的透明承載件10，該膠層12上設置有半導體組件13。

如圖1B所示，于該透明承載件10的底面10b上接置一光罩14，并進行曝光工藝。

如圖1C所示，移除未曝光的膠層12部分。

接著，如圖1D及圖1E的順序，通過一支撐件16使封裝膠體15包覆該半導體組件13，并移除該透明承載件10。最后如圖1F所示，移除剩余的該膠層12。

然而，該光罩14設于透明承載件10的底面10b，且透明承載件10的厚度約有700μm，是以，曝光光線通過光罩14產生繞射，再通過一厚度較大的介質，將使得曝光圖形變形。尤其因設置半導體組件時，該半導體組件13的部分通常會陷入該膠層12(如圖1A所示)，所以必須于曝光時定義出半導體組件投影區域外的膠層部分，以于后續步驟移除的，但因曝光圖形變形導致于圖1C所示的步驟無法移除半導體組件13周圍的膠層12，使得形成封裝膠體15時，無法完整包覆半導體組件13的側面，進行令該半導體組件13側面與封裝膠體15形成間隙g。如果接著于該半導體組件上形成互連結構，例如圖1G所示的形成于該半導體組件13上的包括導電跡線171和絕緣層172的線路重布結構17和導電組件18，勢必容易因該間隙g影響產品信賴性。

因此，如何克服現有技術中的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

發明內容

鑒于上述現有技術的缺點，本發明的主要目的在于提供一種半導體封裝件的制法，可更提升曝光精確度及產品信賴性。

本發明的半導體封裝件的制法，包括：設置至少一半導體組件于一透明承載件上，其中，該透明承載件表面上形成有膠層，該膠層與透明承載件之間形成有光罩，且該至少一半導體組件通過該膠層粘附于該透明承載件上；進行曝光顯影步驟，以移除未為該至少一半導體組件所覆蓋的膠層部分；形成包覆該至少一半導體組件的封裝膠體；以及移除該透明承載件及剩余的膠層。

本發明將圖案化的薄膜形成于膠層與透明承載件之間，以作為光罩，此薄膜的厚度很薄，尤其是相比于傳統曝光顯影的光罩厚度，所以于大幅減少光罩與膠層之間的距離后，得以避免曝光光線通過光罩和透明承載件因產生繞射所放大的誤差，提升曝光精確度及產品信賴性。

附圖說明

圖1A至圖1G為現有扇出式封裝件的制法剖面示意圖；以及

圖2A至圖2H為本發明的半導體封裝件的制法的剖面示意圖，其中，圖2A’為圖2A的俯視圖。

【符號說明】

10,20????透明承載件

10b??????底面

11,21????離型層

12,22????膠層

13,23????半導體組件

14???????光罩

15,25????封裝膠體

16,26????支撐件

17,27????線路重布結構

171,271??導電跡線

172,272??絕緣層

18,28????導電組件

2????????半導體封裝件

20a??????第一表面

20b??????第二表面

24???????光罩膜

23a??????作用面

23b??????非作用面

231??????電極墊

25a??????頂面

25b??????底面

g????????間隙

L????????照光。

具體實施方式