[發(fā)明專利]形成密集間距圖案的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310015562.9
• 申請(qǐng)日: 2013-01-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103631094A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳俊偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G03F1/76
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種形成密集間距圖案的方法，其特征在于，包含：

提供一目標(biāo)圖案，其中所述目標(biāo)圖案包含多個(gè)第一條狀圖案，所述第一條狀圖案具有一第一寬度以及一第一長(zhǎng)度；

提供一光掩膜，其具有多個(gè)第二條狀圖案對(duì)應(yīng)于各所述第一條狀圖案，其中各所述第二條狀圖案具有一第二寬度以及一第二長(zhǎng)度；

在一曝光系統(tǒng)中利用所述光掩膜進(jìn)行一第一曝光工藝，其中所述第一曝光工藝使用一第一光源，所述第一光源可以解析出所述第二條狀圖案的所述第二寬度；以及

在所述曝光系統(tǒng)中利用所述光掩膜進(jìn)行一第二曝光工藝，其中所述第二曝光工藝使用一第二光源，所述第二光源不能解析出所述第二條狀圖案的所述第二寬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成密集間距圖案的方法，其特征在于，所述第二光源可以解析出所述第二條狀圖案的所述第二長(zhǎng)度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成密集間距圖案的方法，其特征在于，所述第二條狀圖案的所述第二長(zhǎng)度大于所述第一條狀圖案的所述第一長(zhǎng)度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成密集間距圖案的方法，其特征在于，所述第二條狀圖案的所述第二寬度實(shí)質(zhì)上等于所述第一條狀圖案的所述第一寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成密集間距圖案的方法，其特征在于，所述第一寬度與所述第二寬度為所述曝光系統(tǒng)中的臨界尺寸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成密集間距圖案的方法，其特征在于，所述第一曝光工藝與所述第二曝光工藝中的分辨率以下列公式來(lái)決定：

R=(0.5.λ)/(N.A.·(1+Hσ))

其中，R代表分辨率，λ代表光源波長(zhǎng)，N.A.代表數(shù)值孔徑，Hσ代表孔徑可調(diào)半徑。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成密集間距圖案的方法，其特征在于，所述第一光源的波長(zhǎng)實(shí)質(zhì)上等于所述第二光源的波長(zhǎng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成密集間距圖案的方法，其特征在于，所述第一曝光步驟中，N.A.·(1+Hσ)的值會(huì)大于所述第二曝光步驟中N.A.．(1+Hσ)的值。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成密集間距圖案的方法，其特征在于，所述第一寬度與所述第二寬度為38納米，所述第一長(zhǎng)度為160納米，而所述第二長(zhǎng)度為260納米。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成密集間距圖案的方法，其特征在于，所述第一光源的波長(zhǎng)與所述第二光源的波長(zhǎng)都為193納米。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成密集間距圖案的方法，其特征在于，在所述第一曝光工藝中，所述孔徑可調(diào)半徑為1.35而所述分辨率為1。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成密集間距圖案的方法，其特征在于，在所述第二曝光工藝中，N.A.·(1+Hσ)的值介于0.371與2.539之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成密集間距圖案的方法，其特征在于，還包含：

提供一基底；

形成一光致抗蝕劑層于所述基底上；以及

在進(jìn)行了第一曝光工藝與所述第二曝光工藝后，在所述光致抗蝕劑層上形成所述目標(biāo)圖案。