[發(fā)明專利]一種ZrB2-SiC(w)陶瓷原料的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310015312.5
• 申請日: 2013-01-16
• 公開（公告）號: CN103073320A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉新紅;張海軍;賈全利;馬成良;周超杰
• 申請（專利權(quán)）人: 鄭州大學(xué);武漢科技大學(xué)
• 主分類號: C04B35/81
• 分類號: C04B35/81;C04B35/58;C04B35/565;C04B35/622
• 代理公司: 鄭州紅元帥專利代理事務(wù)所(普通合伙) 41117
• 代理人: 楊妙琴

1.一種ZrB₂-SiC(w)陶瓷原料的制備方法，以鋯英石、B₂O₃、電極粉和SiO₂微粉為主要原料，輔以催化劑，采用高溫爐原位燒制合成ZrB₂-SiC(w)陶瓷原料，各種原料混練均勻后以50～100MPa的壓力壓制成型，坯體干燥后置于燒結(jié)爐中，升溫前先將爐膛抽真空，然后通入高純氬氣，升溫至1100～1200℃并保溫0.5～1小時；繼續(xù)升溫至1500～1650℃并保溫1～9小時，冷卻后在氣流磨中粉碎至200目以下即可；原料按質(zhì)量比為：鋯英石:電極粉:氧化硼?=100:?120～180:?150～200，占鋯英石、電極粉和氧化硼總量10～20%的SiO₂微粉，外加占上述物料總質(zhì)量1～3％的催化劑，催化劑為Fe、Co和Ni的一種或幾種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種ZrB₂-SiC(w)陶瓷原料的制備方法，其特征在于：原料質(zhì)量比為：鋯英石：電極粉：氧化硼=100:180:200，再加占鋯英石、電極粉和氧化硼總量20%的SiO₂微粉，外加催化劑為3％的Fe,?以50MPa壓力壓制成型，以6℃/min的升溫速率加熱至1100℃，保溫0.5小時；以3℃/min的升溫速率加熱至1500℃并保溫9小時。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種ZrB₂-SiC(w)陶瓷原料的制備方法，其特征在于：原料質(zhì)量比為：鋯英石：電極粉：氧化硼=100:150:180，再加入占鋯英石、電極粉和氧化硼總量15%的SiO₂微粉，外加催化劑為1％的Co,?以100MPa壓力壓制成型，以6℃/min的升溫速率加熱至1100℃，保溫0.5小時，以3℃/min的升溫速率加熱至1500℃并保溫6小時。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種ZrB₂-SiC(w)陶瓷原料的制備方法，其特征在于：原料質(zhì)量比為：鋯英石：電極粉：氧化硼=100:120:150，再加入占鋯英石、電極粉和氧化硼總量10%的SiO₂微粉，外加催化劑為1％的Ni,?以80MPa壓力壓制成型，以6℃/min的升溫速率加熱至1100℃，保溫0.5小時，以3℃/min的升溫速率加熱至1550℃并保溫3小時。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種ZrB₂-SiC(w)陶瓷原料的制備方法，其特征在于：原料質(zhì)量比為：鋯英石：電極粉：氧化硼=100:140:150，再加入占鋯英石、電極粉和氧化硼總量15%的SiO₂微粉，外加催化劑為0.5％的Co和?0.5％的Ni,?以100MPa壓力壓制成型，以6℃/min的升溫速率加熱至1200℃，保溫1小時，以3℃/min的升溫速率加熱至1600℃并保溫3小時。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種ZrB₂-SiC(w)陶瓷原料的制備方法，其特征在于：原料質(zhì)量比為：鋯英石：電極粉：氧化硼=100:140:180，再加入占鋯英石、電極粉和氧化硼總量10%的SiO₂微粉，外加催化劑為Co和?Ni,?以100MPa壓力壓制成型，以6℃/min的升溫速率加熱至1200℃，保溫1小時，以3℃/min的升溫速率加熱至1650℃并保溫1小時。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4、5或6所述的一種ZrB₂-SiC(w)陶瓷原料的制備方法：其特征在于：所述鋯英石中各主要成分質(zhì)量百分含量為：ZrO₂≥66%，SiO₂≥33%，Al₂O₃?≤0.5%，TiO₂?≤0.3%，F(xiàn)e₂O₃?≤0.1%；其粒度<0.01mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種ZrB₂-SiC(w)陶瓷原料的制備方法：其特征在于：所述B₂O₃主要成分質(zhì)量百分含量為：B₂O₃≥99.5％，粒度<5μm?。