[發明專利]MRAM存儲單元和用于使用具有減小的場電流的熱輔助寫操作向MRAM存儲單元寫入的方法有效
| 申請號： | 201310015248.0 | 申請日： | 2013-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN103208303B | 公開（公告）日： | 2017-04-19 |
| 發明（設計）人： | I.L.普雷比亞努;R.蘇薩 | 申請（專利權）人： | 克羅科斯科技公司 |
| 主分類號： | G11C11/16 | 分類號： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 馬紅梅,盧江 |
| 地址： | 法國格*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mram 存儲 單元 用于 使用 具有 減小 電流 輔助 操作 寫入 方法 | ||
【說明書】：
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