[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310014811.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103794518A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山口勝啟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三墾電氣株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,制造如下的半導(dǎo)體裝置:其被構(gòu)成為,將上表面搭載有半導(dǎo)體芯片的金屬板的下表面經(jīng)由絕緣層接合于散熱板的上表面,利用塑模樹(shù)脂體對(duì)所述半導(dǎo)體芯片、所述金屬板和所述散熱板進(jìn)行密封,所述絕緣層至少具備設(shè)于所述散熱板側(cè)的第一樹(shù)脂層和設(shè)于所述金屬板側(cè)的第二樹(shù)脂層,
該制造方法的特征在于包括:
接合步驟,形成散熱板結(jié)構(gòu)體,該散熱板結(jié)構(gòu)體是通過(guò)如下方式得到的:隔著所述第一樹(shù)脂層和所述第二樹(shù)脂層對(duì)所述金屬板和所述散熱板進(jìn)行固定,夾著硬化度相對(duì)高的所述第一樹(shù)脂層和硬化度相對(duì)低的所述第二樹(shù)脂層而對(duì)所述金屬板和所述散熱板進(jìn)行接合;和
硬化步驟,對(duì)所述散熱板結(jié)構(gòu)體的所述第一樹(shù)脂層和所述第二樹(shù)脂層實(shí)施熱處理,使所述第一樹(shù)脂層和第二樹(shù)脂層完全硬化,
在所述硬化步驟中,使所述第二樹(shù)脂層比所述第一樹(shù)脂層更快地完全硬化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
在所述硬化步驟中,使熱硬化性樹(shù)脂硬化而形成所述塑模樹(shù)脂體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
在所述硬化步驟中,
在第一期間內(nèi),所述第一樹(shù)脂層的硬化度比所述第二樹(shù)脂層的硬化度高,
在所述第一期間后的第二期間內(nèi),將所述第二樹(shù)脂層的硬化度設(shè)定為比所述第一樹(shù)脂層的硬化度高,
在所述第二期間內(nèi)使所述第一樹(shù)脂層和第二樹(shù)脂層完全硬化。
4.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
該半導(dǎo)體裝置是通過(guò)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法來(lái)制造的。
5.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
該半導(dǎo)體裝置是通過(guò)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法來(lái)制造的。
6.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
該半導(dǎo)體裝置是通過(guò)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法來(lái)制造的。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三墾電氣株式會(huì)社,未經(jīng)三墾電氣株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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