[發明專利]一種片式氧化鈮電容器石墨、銀漿層制備方法

在審

• 申請號: 201310014512.9
• 申請日: 2013-01-15
• 公開（公告）號: CN103065798A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 江平;王安玖
• 申請（專利權）人: 中國振華（集團）新云電子元器件有限責任公司
• 主分類號: H01G9/04
• 分類號: H01G9/04
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 谷慶紅

技術領域

本發明屬于電容器制造領域，特別是涉及一種片式氧化鈮電容器石墨、銀漿層制備方法。

背景技術

氧化鈮電容器是一種以一氧化鈮粉作為核心材料的新型電解電容器，它不但具有鉭電容器體積小、容量大、損耗角正切小、電性能穩定的優點，還具有使用電壓降幅小、不燃燒特點，因此氧化鈮電容器成為高速處理的低電壓低功耗電子裝備首選產品。

目前，石墨、銀漿層作為鈮電容器的陰極，鈮電容器石墨、銀漿層的傳統制備方法如下：將被膜好的鉭鈮塊浸入水性石墨，高溫固化冷卻后浸入油性石墨，最后浸入銀漿。氧化鈮電容器采用這種傳統石墨、銀漿層的制備方法的缺點是：電容器在高溫125℃下容量變化大，電容器會因為環境溫度過高而導致輸出波形失真、電路無法正常工作。

發明內容

針對上述問題，本發明旨在提供一種片式氧化鈮電容器的石墨、銀漿層制備方法，利用該方法制造的氧化鈮電容器在125℃下容量變化滿足技術標準要求，并能夠在125℃的環境下維持正常工作。

本發明采取的技術方案為：

一種片式氧化鈮電容器石墨、銀漿層制備方法，所述該方法包括以下步驟：

1）將被膜好的氧化鈮塊芯子浸入水性石墨，浸漬深度為芯子高度的3/4～4/5，浸漬時間為1～10S；

2）取出后，用電容器紙吸掉芯子底部多余的水性石墨，室溫放置5～10min，再放入140～200℃烘箱內固化10～60min；

3）氧化鈮塊芯子取出冷卻至室溫，浸入苯甲醇溶液，浸漬深度為芯子總高度的3/4～4/5，浸漬時間為1～10S；

4）取出后，將浸漬過苯甲醇溶液的芯子浸入油性石墨，浸漬深度為芯子總高度的3/4～4/5，浸漬時間為1～10S；

5）緩慢取出，用電容器紙吸掉芯子底部多余的油性石墨，室溫放置5～10min，再放入140～200℃烘箱內固化10～60min；

6）將上述氧化鈮塊芯子取出冷卻至室溫，浸入銀漿，浸漬深度為芯子總高度的3/4～4/5，浸漬時間為1～10S；

7）取出后，用電容器紙吸掉芯子底部多余的銀漿，室溫放置5～10min，再放入160～230℃烘箱內固化10～60min。

作為本發明的進一步優選方案，所述步驟1）水性石墨按照體積比為原瓶石墨:去離子水=1:（2～10）配制。

作為本發明的進一步優選方案，所述步驟4）油性石墨按照體積比為原瓶石墨:苯甲醇=1:（1～5）配制。

作為本發明的進一步優選方案，所述步驟6）銀漿按照體積比為原瓶銀漿:乙酸丁酯=1:（2～10）配制。

本發明由于采用了在油性石墨前增加浸漬苯甲醇溶液的處理工藝，有效的抑制了片式氧化鈮電容器在高溫125℃容量變化，提高了氧化鈮電容器在高溫環境中的可靠性和穩定性。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發明作進一步描述，在此發明的示意性實施例以及說明用來解釋本發明，但并不作為對本發明的限定。

實施例1

1）將被膜好的氧化鈮塊芯子浸入體積比為原瓶石墨:去離子水=1:2的水性石墨，浸漬深度為芯子高度的3/4，浸漬時間為3S；

2）取出后，用電容器紙吸掉芯子底部多余的水性石墨，室溫放置5min，再放入140℃烘箱內固化10min；

3）氧化鈮塊芯子取出冷卻至室溫，浸入苯甲醇溶液，浸漬深度為芯子總高度的3/4，浸漬時間為3S；

4）取出后，將浸漬過苯甲醇溶液的芯子浸入體積比為原瓶石墨:苯甲醇=1:2的油性石墨，浸漬深度為芯子總高度的3/4，浸漬時間為3S；

5）緩慢取出，用電容器紙吸掉芯子底部多余的油性石墨，室溫放置5min，再放入140℃烘箱內固化10min；

6）將上述氧化鈮塊芯子取出冷卻至室溫，浸入體積比為原瓶銀漿:乙酸丁酯=1:2的銀漿，浸漬深度為芯子總高度的3/4，浸漬時間為3S；

7）取出后，用電容器紙吸掉芯子底部多余的銀漿，室溫放置5min，再放入160℃烘箱內固化10min。

實施例2

1）將被膜好的氧化鈮塊芯子浸入體積比為原瓶石墨:去離子水=1:10的水性石墨，浸漬深度為芯子高度的4/5，浸漬時間為10S；

2）取出后，用電容器紙吸掉芯子底部多余的水性石墨，室溫放置10min，再放入200℃烘箱內固化60min；

3）氧化鈮塊芯子取出冷卻至室溫，浸入苯甲醇溶液，浸漬深度為芯子總高度的4/5，浸漬時間為10S；