[發明專利]微顯示集成背照圖像傳感器的OLED圖像收發裝置有效
| 申請號: | 201310014149.0 | 申請日: | 2013-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN103107172A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發明(設計)人: | 劉萍 | 申請(專利權)人: | 深圳典邦科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L27/146;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 518057 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 集成 圖像傳感器 oled 圖像 收發 裝置 | ||
1.一種微顯示集成背照圖像傳感器的OLED圖像收發裝置,其特征在于,包括背面的經刻蝕的半導體材料基板和正面的作為承載基板的玻璃基板,所述半導體材料基板和所述玻璃基板之間形成有圖像傳感器和OLED,所述圖像收發裝置的背面為光入射面,正面為圖像顯示面,所述圖像傳感器前方設置有阻光層,所述阻光層用于消除非從背面入射的光線對所述圖像傳感器的干擾。
2.如權利要求1所述微顯示集成背照圖像傳感器的OLED圖像收發裝置,其特征在于,?所述OLED包括光反射陽極、有機發光層和透明陰極,所述圖像傳感器為光電二極管,所述半導體材料基板為p-Si基板。
3.如權利要求1所述微顯示集成背照圖像傳感器的OLED圖像收發裝置,其特征在于,所述OLED的光反射陽極和所述阻光層形成在金屬間絕緣層上,所述阻光層確定所述OLED的有效發光區域,所述光電二極管設置于所述OLED的光反射陽極旁邊,且位于所述阻光層的下方。
4.如權利要求3所述微顯示集成背照圖像傳感器的OLED圖像收發裝置,其特征在于,?所述阻光層與所述OLED的光反射陽極有交疊,覆蓋所述OLED的光反射陽極的邊緣。
5.如權利要求1所述微顯示集成背照圖像傳感器的OLED圖像收發裝置,其特征在于,?所述阻光層形成在金屬間絕緣層上,第二絕緣層和所述OLED的光反射陽極形成在所述阻光層上,所述第二絕緣層確定所述OLED的有效發光區域,所述光電二極管設置于所述OLED的光反射陽極旁邊,且位于所述阻光層的下方。
6.如權利要求1所述微顯示集成背照圖像傳感器的OLED圖像收發裝置,其特征在于,?所述阻光層形成在第一金屬間絕緣層和第二金屬間絕緣層之間,第二絕緣層和所述OLED的光反射陽極形成在所述第二金屬間絕緣層上,所述第二絕緣層確定所述OLED的有效發光區域,所述光電二極管設置于所述OLED的光反射陽極旁邊,且位于所述阻光層的下方。
7.如權利要求5或6所述微顯示集成背照圖像傳感器的OLED圖像收發裝置,其特征在于,?所述第二絕緣層與所述OLED的光反射陽極有交疊,覆蓋所述OLED的光反射陽極的邊緣。
8.如權利要求1至7任一項所述微顯示集成背照圖像傳感器的OLED圖像收發裝置,其特征在于,所述阻光層是樹脂或含鉻的薄膜,優選采用光刻的方式形成。
9.如權利要求1至8任一項所述的微顯示集成背照圖像傳感器的OLED圖像收發裝置的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
在半導體材料基板上采用標準CMOS工藝形成OLED驅動電路、圖像傳感器及所述圖像傳感器的信號讀取電路;
制作OLED的光反射陽極、有機發光層和透明陰極;
設置阻光層以消除非從半導體材料基板背面入射的光線對所述圖像傳感器的干擾;
進行薄膜封裝;
在封裝的薄膜上面粘接玻璃基板;
以玻璃基板為載體,從背面刻蝕半導體材料基板,減薄至背面適于作為光入射面。
10.如權利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述OLED形成在金屬間絕緣層上,在制作所述OLED前,對所述金屬間絕緣層進行化學機械拋光或采用平整材料如有機材料進行平整處理。
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