[發(fā)明專利]具有硬質(zhì)膜層的不銹鋼制品及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310013681.0 | 申請日： | 2013-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN103921498B | 公開（公告）日： | 2017-08-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張春杰;劉旭 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司 |
| 主分類號： | B32B15/04 | 分類號： | B32B15/04;B32B9/04;C23C14/34;C23C14/16;C23C14/06 |
| 代理公司： | 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44334 | 代理人： | 蔣志行 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 質(zhì)膜 不銹鋼制品 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有硬質(zhì)膜層的不銹鋼制品，其包括不銹鋼基體，其特征在于：該不銹鋼制品還包括依次形成在不銹鋼基體上的打底層、過渡層及硬質(zhì)層，該打底層為Ti層；該過渡層為TiaCrb層，其中，1≦a≦2、2≦b≦3；該硬質(zhì)層為TixCryNz層，其中，2≦x≦4、3≦y≦8及10≦z≦16，該不銹鋼基體表層形成有離子注入層，該離子注入層的厚度為0.15～0.2μm，打底層形成在該離子注入層上。
2.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼制品，其特征在于：該離子注入層主要含有Fe元素、N元素。
3.如權(quán)利要求2所述的不銹鋼制品，其特征在于：該離子注入層中，F(xiàn)e與N的原子個數(shù)比為1:4～1:7。
4.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼制品，其特征在于：該硬質(zhì)層的厚度為1.2～1.5μm。
5.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼制品，其特征在于：該過渡層的厚度為0.5～0.8μm。
6.一種具有硬質(zhì)膜層的不銹鋼制品的制備方法，其包括如下步驟：
提供不銹鋼基體；
提供一真空鍍膜裝置，該真空鍍膜裝置包括一鍍膜室、設(shè)置在該鍍膜室內(nèi)的鈦靶、鉻靶及射頻電極，該射頻電極用以離化金屬原子及氣體；
向該真空鍍膜裝置內(nèi)通入氬氣及氮?dú)猓谠摬讳P鋼基體表層形成一離子注入層，該離子注入層的厚度為0.15～0.2μm；
將該不銹鋼基體置于該真空鍍膜裝置內(nèi)，開啟所述鈦靶，并向該射頻電極通入電流，在不銹鋼基體上形成一打底層，該打底層為Ti層；
同時開啟所述鈦靶和鉻靶，在該打底層上形成一過渡層，該過渡層為TiaCrb層，其中，1≦a≦2、2≦b≦3；
以氮?dú)鉃榉磻?yīng)氣體，同時開啟所述鈦靶和鉻靶，在該過渡層上形成一硬質(zhì)層，該硬質(zhì)層為TixCryNz層，其中，2≦x≦4、3≦y≦8，10≦z≦16。
7.如權(quán)利要求6所述的不銹鋼制品的制備方法，其特征在于：在所述離子注入過程中，射頻電極的電流為5-8A，施加于不銹鋼基體上的偏壓為-1300～-1500V；氬氣的流量為100～200sccm、氮?dú)獾牧髁繛?00～600sccm，注入時間為20～35min。
8.如權(quán)利要求6所述的不銹鋼制品的制備方法，其特征在于：沉積所述硬質(zhì)層的過程中，鈦靶功率為4～6kw、鉻靶功率為10～15kw；氮?dú)獾牧髁繛?00～500sccm；施加于不銹鋼基體上施加的偏壓為-1300～-1500V，沉積時間為25～50min。
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