[發明專利]Cu2O/TiO2納米復合薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201310013497.6 | 申請日： | 2013-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN103088343A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發明（設計）人： | 余曉皎;黃琳珠;張健;張阿曼;張帆;鈕金芬;姚秉華 | 申請（專利權）人： | 西安理工大學 |
| 主分類號： | C23C28/04 | 分類號： | C23C28/04;C23C26/00;C25D9/04;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cu sub tio 納米 復合 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.Cu2O/TiO2納米復合薄膜，其特征在于，包括導電玻璃基底，導電玻璃基底上覆有納米TiO2薄膜和納米Cu2O薄膜。
2.如權利要求2所述的Cu2O/TiO2納米復合薄膜，其特征在于，所述納米TiO2薄膜的厚度為100～300nm，納米Cu2O薄膜的厚度1.0～2.0μm；TiO2粒徑為20～30nm，Cu2O粒徑為400～700nm。
3.如權利要求1或2所述的Cu2O/TiO2納米復合薄膜，其特征在于，所述導電玻璃基底為氧化銦錫透明導電玻璃。
4.如權利要求1-3任一項所述的Cu2O/TiO2納米復合薄膜的制備方法，其特征在于，以導電玻璃為基底，先采用浸漬-提拉法涂上一層TiO2膠體溶液，形成TiO2納米層，然后再采用電解法沉積Cu2O納米層。
5.如權利要求4所述的Cu2O/TiO2納米復合薄膜的制備方法，其特征在于，包括
步驟1：以導電玻璃基片為基底，將導電玻璃基片浸入TiO2膠體溶液中，平穩垂直勻速提拉形成TiO2薄膜，干燥后，于300℃煅燒后自然降溫至室溫；
步驟2：以步驟1得到的覆有TiO2薄膜的導電玻璃基片為工作電極，以Pt電極為對電極，以飽和甘汞電極為參比電極，在含有二價銅離子的電解液中沉積Cu2O薄膜，在導電玻璃基片上形成Cu2O/TiO2納米復合薄膜，自然晾干，即可。
6.如權利要求5所述的Cu2O/TiO2納米復合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1中，TiO2膠體溶液由曲拉通TX-100、乙酰丙酮、P25納米TiO2和蒸餾水制成；各組分的摩爾比為曲拉通TX-100：乙酰丙酮：P25納米TiO2：蒸餾水=1：3：19：840；其制備方法為將P25納米TiO2粉末放入瑪瑙研缽,依次加入乙酰丙酮和1/10總體積的蒸餾水研磨成膏體狀，最后加入剩下的蒸餾水和曲拉通TX-100繼續研磨40min。
7.如權利要求5或6所述的Cu2O/TiO2納米復合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1中，平穩垂直勻速提拉形成TiO2薄膜為將清洗后的導電玻璃基片浸入TiO2膠體溶液中停留50～60s，以4～6cm/min的速度平穩垂直勻速提拉形成TiO2濕膜，然后將TiO2濕膜在100℃條件下干燥5min；最后將干燥的TiO2薄膜于300℃煅燒30min后自然降溫至室溫。
8.如權利要求7所述的Cu2O/TiO2納米復合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2中，含有二價銅離子的電解液為用蒸餾水配制，含有0.10～0.20mol/L的CH3COONa、0.02～0.04mol/L的(CH3COO)2Cu和0～7.0mmol/L的KCl，用冰乙酸和4.0mol/L的NaOH溶液調節pH為5.50～5.75。
9.如權利要求8所述的Cu2O/TiO2納米復合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2中，沉積電位為-0.075～-0.225V?vs(SCE)，在30℃條件下沉積120min；將沉積所得含有氯離子的Cu2O/TiO2納米復合薄膜于無水乙醇中泡5min，取出自然晾干。
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