[發(fā)明專利]多層陶瓷電子部件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310013050.9
• 申請(qǐng)日: 2013-01-14
• 公開（公告）號(hào): CN103377827B
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁海碩;李炳華;樸珉哲;蔡恩赫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G4/30
• 分類號(hào): H01G4/30;H01G4/005;H01G4/12
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 金光軍,劉奕晴

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2012年4月26日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2012-0043976號(hào)的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的內(nèi)容通過引用的方式結(jié)合于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及多層陶瓷電子部件。

背景技術(shù)

在多層陶瓷電容器、多層陶瓷電子部件中，內(nèi)部電極被形成在多個(gè)介電層之間。

由于電子產(chǎn)品正在越來越小型化和多功能化，因此被嵌入在電子產(chǎn)品中的芯片型多層電容器也正在越來越多地需要被小型化并且具有高電容量。

在多層電容器中實(shí)現(xiàn)小型化和高電容量的趨勢(shì)在陣列型多層陶瓷電容器中也是明顯的。在陣列型多層陶瓷電容器中，在印刷于各個(gè)介電層上的相鄰內(nèi)部電極之間形成有間隙，并且已通過在間隙處彎曲地形成彼此相鄰的邊沿部分而阻止電集中。

對(duì)于被設(shè)置在陣列型多層陶瓷電容器中的介電層之間的上內(nèi)部電極和下內(nèi)部電極來說，電場(chǎng)被集中在內(nèi)部電極圖案的內(nèi)部電極邊緣上、在上內(nèi)部電極和下內(nèi)部電極開始相互重疊的點(diǎn)處，并且因此，其擊穿電壓（BDV）特性可能被惡化。

在疊層的數(shù)量被增加并且介電層厚度被減小以實(shí)現(xiàn)小型化和高電容量的陣列型多層陶瓷電容器中，上內(nèi)部電極和下內(nèi)部電極之間的干擾可能更加嚴(yán)重，并且因此，存在對(duì)于通過進(jìn)一步具體指明被形成在相鄰的內(nèi)部電極之間的間隙與相互面對(duì)的內(nèi)部電極的內(nèi)部電極邊緣的曲率之間的關(guān)系而研究BDV特性的改進(jìn)的需求。

下文中的相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)1沒有揭露陣列型多層電容器；相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)2揭露了在電容形成方面是不適合的內(nèi)部電極圖案；以及相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)3揭露了內(nèi)部電極的彎曲形狀，但是沒有揭露內(nèi)部電極之間的間隙的距離。

[相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)]

（文獻(xiàn)1）日本專利公開第2002-299148號(hào)

（文獻(xiàn)2）日本專利公開第1999-026291號(hào)

（文獻(xiàn)3）韓國(guó)專利公開第2005-0089493號(hào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種陣列型多層陶瓷電子部件，其中，間隙的尺寸通過彎曲地形成內(nèi)部電極的內(nèi)部電極邊緣而控制，所述內(nèi)部電極被彼此相鄰地設(shè)置在各個(gè)介電層上且在內(nèi)部電極之間具有所述間隙，以改進(jìn)BDV特性。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種多層陶瓷電子部件，包括：陶瓷本體，通過層壓具有0.7μm或者更小的平均厚度的介電層形成；至少兩個(gè)外部電極，形成在陶瓷本體的外表面上；以及內(nèi)部電極，印刷在介電層上以便被印刷在單個(gè)介電層上并且因此在內(nèi)部電極之間具有間隙，內(nèi)部電極構(gòu)成至少兩個(gè)內(nèi)部電極層疊部分，在一個(gè)內(nèi)部電極層疊部分的內(nèi)部電極與鄰近所述一個(gè)內(nèi)部電極層疊部分的另一個(gè)內(nèi)部電極層疊部分的內(nèi)部電極之間的間隙通過彼此相鄰的具有彎曲的內(nèi)部電極邊緣定義；當(dāng)用Gmin表示位于彼此相鄰的內(nèi)部電極邊緣之間的最窄間隙時(shí)，滿足10μm≤Gmin≤60μm，以及當(dāng)用Wa表示內(nèi)部電極的中心部分的寬度、以及用Wb表示內(nèi)部電極的輪廓的端部部分的寬度時(shí)，滿足1.1≤Wa/Wb≤1.35。

這里，當(dāng)用Ms表示在內(nèi)部電極的內(nèi)部電極邊緣和陶瓷本體的與該內(nèi)部電極邊緣相鄰的一個(gè)端部表面之間的邊沿部分時(shí)，可滿足Gmin≤Ms。

這里，Wa可以是內(nèi)部電極的最寬寬度，并且Wb可以是內(nèi)部電極的最窄寬度。

這里，在內(nèi)部電極層疊部分中的至少一個(gè)中，在其之間具有介電層的并且在其層疊方向上彼此相鄰的內(nèi)部電極之間，一個(gè)內(nèi)部電極可包括被引出到陶瓷本體的一個(gè)側(cè)表面的引線，并且另一個(gè)內(nèi)部電極可包括被引出到陶瓷本體的另一個(gè)側(cè)表面的引線。

陶瓷本體的長(zhǎng)度和寬度可分別為0.9±0.15mm和0.6±0.15mm、或者1.37±0.15mm和1.0±0.15mm。

在其之間具有介電層的并且在其層疊方向上彼此面對(duì)的內(nèi)部電極的拐角部分可相互不重疊。

內(nèi)部電極的輪廓可朝向內(nèi)部電極的中心部分更凸出。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種多層陶瓷電子部件，包括：陶瓷本體，包括具有0.7μm或者更小的平均厚度的介電層；外部電極，形成在陶瓷本體的外表面上；以及內(nèi)部電極，在單個(gè)介電層上彼此相鄰并且在內(nèi)部電極之間具有間隙，其中，當(dāng)用Gmin表示位于彼此相鄰的內(nèi)部電極的內(nèi)部電極邊緣之間的最窄間隙時(shí)，滿足10μm≤Gmin≤60μm。

內(nèi)部電極的內(nèi)部電極邊緣可形成為使得間隙在內(nèi)部電極的寬度方向上朝向內(nèi)部電極的中心部分更窄。

這里，當(dāng)用Wa表示內(nèi)部電極的中心部分的寬度、以及用Wb表示內(nèi)部電極的輪廓的端部部分的寬度時(shí)，可滿足1.1≤Wa/Wb≤1.35。