[發明專利]一種影像傳感器晶圓的鍵合方法

有效

• 申請號: 201310012320.4
• 申請日: 2013-01-14
• 公開（公告）號: CN103065945A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 李平
• 申請（專利權）人: 陸偉
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種影像傳感器晶圓的鍵合方法，其特征在于，包括以下步驟：

運用高密度等離子體化學氣相淀積法對器件晶圓進行處理，淀積器件晶圓鈍化層氧化物；對淀積鈍化層氧化物的器件晶圓進行第一次化學機械研磨；將研磨后的器件晶圓進行等離子體增強化學氣相淀積法處理，在器件晶圓原有的氧化物上再次淀積鈍化層氧化物；對器件晶圓進行第二次化學機械研磨；將第二次化學機械研磨后的器件晶圓進行退火處理；將經上述步驟處理后的器件晶圓與進行等離子體增強化學氣相淀積法處理和化學機械研磨后的載片鍵合。

2.根據權利要求1所述的一種影響傳感器晶圓的鍵合方法，其特征是：所述運用高密度等離子體化學氣相淀積法對器件晶圓進行處理時，淀積器件晶圓鈍化層氧化物厚度為8000埃至12000埃。

3.根據權利要求1或2所述的一種影響傳感器晶圓的鍵合方法，其特征是：所述對淀積鈍化層氧化物的器件晶圓進行第一次化學機械研磨氧化物厚度研磨至4000埃至6000埃。

4.根據權利要求3所述的一種影響傳感器晶圓的鍵合方法，其特征是：所述將研磨后的器件晶圓進行等離子體增強化學氣相淀積法處理時，在器件晶圓原有的氧化物上再次淀積鈍化層氧化物的厚度為8000埃至12000埃。

5.根據權利要求4所述的一種影響傳感器晶圓的鍵合方法，其特征是：所述對器件晶圓進行第二次化學機械研磨將器件晶圓研磨至8000埃至12000埃。