[發明專利]一種晶圓背面減薄方法有效
| 申請號： | 201310012316.8 | 申請日： | 2013-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN103077889A | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發明（設計）人： | 李平 | 申請（專利權）人： | 陸偉 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 楊立 |
| 地址： | 200124 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 背面 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓背面減薄方法，其特征在于包括以下步驟，
步驟一：使用強酸對晶圓背面的硅襯底進行濕蝕刻，一旦外延層露出，則停止蝕刻；
步驟二：使用選擇性酸對晶圓背面的硅襯底和露出的外延層繼續濕蝕刻至外延層完全露出。
2.根據權利要求1所述一種晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述步驟一中所述的強酸為氫氟酸、硝酸、磷酸和硫酸的混合物。
3.根據權利要求1或2所述一種晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述步驟一中使用強酸對晶圓背面的硅襯底進行濕蝕刻的速率為8-12微米/分鐘。
4.根據權利要求1或2所述一種晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述步驟二中所述的選擇性酸為氫氟酸、硝酸和醋酸的混合物。
5.根據權利要求4所述一種晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述步驟二中使用選擇性酸對晶圓背面的硅襯底進行濕蝕刻的速率為8-12微米/分鐘，而對露出的外延層濕蝕刻的速率為0.04-0.06微米/分鐘。
6.根據權利要求1或2所述一種晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述步驟二中使用選擇性酸對晶圓背面的硅襯底進行濕蝕刻的速率為8-10微米/分鐘，而對露出的外延層濕蝕刻的速率為0.04-0.06微米/分鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
