[發(fā)明專利]一種具有過熱保護功能的半導體激光器驅(qū)動電源無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310012191.9 | 申請日: | 2013-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN103066493A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王斌;王憲濤;王勇 | 申請(專利權(quán))人: | 長春長理光學精密機械有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/042 | 分類號: | H01S5/042;G05D23/20 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 130022 吉林省長春市朝*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 過熱 保護 功能 半導體激光器 驅(qū)動 電源 | ||
1.一種具有過熱保護功能的半導體激光器驅(qū)動電源,特征在于其構(gòu)成包括精密基準源,溫度檢測,溫度控制和恒流源驅(qū)動四部分;其連接關(guān)系是:精密基準源連接溫度檢測和恒流源驅(qū)動,溫度檢測連接溫度控制,溫度控制連接恒流源驅(qū)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的精密基準源,特征在于其由第1電阻(R1)和并聯(lián)調(diào)節(jié)基準芯片(U1)組成;所述的第1電阻(R1)一端連接電源(VCC),第1電阻(R1)另一端連接并聯(lián)調(diào)節(jié)基準芯片(U1)的陰極,所述并聯(lián)調(diào)節(jié)基準芯片(U1)的陽極連接地GND,第1電阻(R1)和并聯(lián)調(diào)節(jié)基準芯片(U1)的陰極的節(jié)點,作為所述精密基準源的輸出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度檢測,特征在于其由溫度傳感器(Rt)和第2電阻(R2)構(gòu)成;所述溫度傳感器(Rt)一端連接權(quán)利要求2所述的精密基準源的輸出,另一端連接所述第2電阻(R2)一端,第2電阻(R2)另一端連接地(GND),所述溫度傳感器(Rt)和所述第2電阻(R2)的節(jié)點,作為溫度檢測的輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度控制,特征在于其由第4電阻(R4),第1二極管(C1),第1晶體三極管(Q1)和第3電阻(R3)組成;所述第4電阻(R4)一端接權(quán)利要求2所述精密基準源的輸出,第4電阻(R4)另一端連接第1二極管(D1)的陰極和第1晶體三極管(Q1)的集電極的節(jié)點,所述第1晶體三極管(Q1)的基極連接權(quán)利要求3所述溫度檢測的輸出,第1晶體三極管(Q1)的集電極連接第3電阻(R3)一端,所述第3電阻(R3)另一端連接地(GND),所述第1二極管(D1)的陰極作為溫度控制的輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒流驅(qū)動,特征在于其由第5電阻(R5),第6電阻(R6),第2二極管(D2),可調(diào)電位器(WP1),第7電阻(R7),第1電容(C1),集成運算放大器(U2A),第2電容(C2),第8電阻(R8),第9電阻(R9),第10電阻(R10),功率調(diào)整MOS管(M1)和第3電容(C3)組成;所述第5電阻(R5)一端連接權(quán)利要求2所述精密基準源的輸出端,第5電阻(R5)另一端連接所述第6電阻(R6)和所述第2二極管(D2)的陰極節(jié)點,第6電阻(R6)另一端接地(GND),第2二極管(D2)陽極接權(quán)利要求4所述溫度控制的輸出端和可調(diào)電位器(WP1)的節(jié)點,所述可調(diào)電位器(WP1)另一端接地,可調(diào)電位器WP1的滑動端連接所述第7電阻(R7)的一端,第7電阻(R7)的另一端連接第1電容(C1)和集成運算放大器(U2A)同相輸入端的節(jié)點,第1電容(C1)另一端接地GND,所述集成運算放大器(U2A)的反相輸入端與第2電容(C2)和第8電阻(R8)的一端相連,第2電容(C2)另一端與所述集成運算放大器(U2A)的輸出端和第9電阻(R9)的一端相連,第8電阻(R8)另一端與所述功率調(diào)整MOS管(M1)的漏極和第10電阻(R10)一端相連,第9電阻(R9)另一端連接功率調(diào)整MOS管(M1)的柵極,第10電阻(R10)另一端連接地(GND),所述功率調(diào)整MOS管(M1)的源極連接第3電容(C3)和半導體激光器LD的陰極的節(jié)點,所述第3電容(C3)的另一端連接電源(VCC)和半導體激光器LD的陽極。
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