[發明專利]一種晶圓自對準硅通孔連接方法無效
| 申請號： | 201310012190.4 | 申請日： | 2013-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN103066016A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發明（設計）人： | 李平 | 申請（專利權）人： | 陸偉 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 楊立 |
| 地址： | 200124 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 對準 硅通孔 連接 方法 | ||
1.一種晶圓自對準硅通孔連接方法，其特征在于，包括以下步驟，
步驟一：將內部均淀積有用作刻蝕停止層的金屬的頂層晶圓和位于所述頂層晶圓下方的底層晶圓鍵合連接；
步驟二：將所述頂層晶圓減薄；
步驟三：在所述頂層晶圓朝外的表面上制作圖案，定位通孔制作區域；
步驟四：從所述頂層晶圓到底部晶圓之間制作通孔；
步驟五：清洗通孔；
步驟六：在通孔底部和側壁上淀積一層阻擋層和種子層；
步驟七：在通孔里面淀積金屬，填充通孔；
步驟八：去除頂層晶圓朝外的表面上的金屬，將頂層晶圓朝外的表面平坦化。
2.根據權利要求1所述的一種晶圓自對準硅通孔連接方法，其特征在于：所述作為刻蝕停止層的金屬為銅。
3.根據權利要求1或2所述的一種晶圓自對準硅通孔連接方法，其特征在于：所述步驟二中，將所述頂層晶圓減薄至2-3微米。
4.根據權利要求1或2所述的一種晶圓自對準硅通孔連接方法，其特征在于：所述步驟二中，通過研磨和蝕刻的方法將晶圓減薄。
5.根據權利要求1或2所述的一種晶圓自對準硅通孔連接方法，其特征在于：所述步驟五中，使用氫氟酸的水溶液清洗通孔。
6.根據權利要求1或2所述的一種晶圓自對準硅通孔連接方法，其特征在于：所述步驟六中，通過物理氣相淀積方法淀積阻擋層和種子層。
7.根據權利要求1或2所述的一種晶圓自對準硅通孔連接方法，其特征在于：所述步驟七中，淀積的金屬為銅或鎢。
8.根據權利要求1或2所述的一種晶圓自對準硅通孔連接方法，其特征在于：所述步驟八中，通過化學機械研磨方法去除頂層晶圓朝外的表面上的金屬。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
