[發明專利]一種用深槽隔離制造影像傳感器的方法及影像傳感器結構

有效

• 申請號: 201310012042.2
• 申請日: 2013-01-14
• 公開（公告）號: CN103066093A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 李平
• 申請（專利權）人: 陸偉
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種用深槽隔離制造影像傳感器的方法，其特征是：包括以下步驟，

步驟一，將器件晶圓與邏輯晶圓進行鍵合；

步驟二，對鍵合后晶圓中的器件晶圓二氧化硅層進行深通孔局部刻蝕，形成器件晶圓深通孔；

步驟三，對深通孔局部刻蝕后的器件晶圓二氧化硅層進行硅刻蝕直至露出器件晶圓頂層金屬和邏輯晶圓頂層金屬，形成鍵合層深通孔和溝槽；

步驟四，對刻蝕出的鍵合層深通孔和溝槽進行銅淀積，并對器件晶圓表面進行化學機械平坦化處理。

2.根據權利要求1所述的一種用深槽隔離制造影像傳感器的方法，其特征是：所述步驟二中深通孔局部刻蝕所用刻蝕方式為等離子體刻蝕。

3.根據權利要求1所述的一種用深槽隔離制造影像傳感器的方法，其特征是：所述步驟三中蝕刻采用的蝕刻方式為等離子體刻蝕。

4.根據權利要求1至3任一所述的一種用深槽隔離制造影像傳感器的方法，其特征是：所述步驟三蝕刻的停止層為器件晶圓的頂層金屬和邏輯晶圓的頂層金屬。

5.根據權利要求1至3任一所述的一種用深槽隔離制造影像傳感器的方法，其特征是：所述步驟三完成后在溝槽之中淀積一層阻擋層。

6.一種影像傳感器結構,其特征是:包括邏輯晶圓和器件晶圓,所述邏輯晶圓上設有有邏輯晶圓二氧化硅層,所述邏輯晶圓二氧化硅層上覆蓋有邏輯晶圓頂層頂層金屬,所述邏輯晶圓頂層金屬上設有鍵合氧化物層,所述鍵和氧化物層上設有器件晶圓頂層金屬，所述器件晶圓頂層金屬上設有器件晶圓二氧化硅層,所述器件晶圓器件晶圓二氧化硅層上為器件晶圓,所述器件晶圓二氧化硅層上設有溝槽，所述溝槽底部為器件晶圓頂層金屬，所述器件晶圓頂層金屬上設有鍵合層深通孔，所述鍵合層深通孔底部為邏輯晶圓金屬層，所述鍵合層深通孔與溝槽之中布滿銅。

7.根據權利要求6所述的一種影像傳感器結構，其特征是：所述鍵合層通孔和溝槽與其中布滿的銅之間設有一層阻擋層。

8.根據權利要求6所述的一種影像傳感器結構，其特征是：所述邏輯晶圓頂層金屬與鍵和氧化物層之間設有阻擋層。

9.根據權利要求6所述的一種影像傳感器結構，其特征是：所述器件晶圓頂層金屬與鍵和氧化物層之間設有阻擋層。

10.根據權利要求6至9任一所述的一種影像傳感器結構，其特征是：所述阻擋層為氮化鈦阻擋層。