[發(fā)明專利]一種晶圓表面缺陷修復(fù)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310011705.9
• 申請(qǐng)日: 2013-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN103077883A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 陸偉
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L27/146
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種晶圓表面缺陷修復(fù)方法，其特征在于，通過射頻使氧氣分子在室溫下去耦合化，形成高能的氧自由基，所述氧自由基與放置在反應(yīng)腔中的基底硅進(jìn)行反應(yīng)，在基底硅的表面上形成去耦合等離子氧化物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓表面缺陷修復(fù)方法，其特征在于：所述反應(yīng)腔內(nèi)腔體壓力為10至90mT。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種晶圓表面缺陷修復(fù)方法，其特征在于：所述反應(yīng)腔腔體內(nèi)通入的氧氣氣體流量為120到280sccm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種晶圓表面缺陷修復(fù)方法，其特征在于：所述射頻由等離子體射頻發(fā)生器產(chǎn)生。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種晶圓表面缺陷修復(fù)方法，其特征在于：所述等離子體射頻發(fā)生器產(chǎn)生的射頻功率為1至3kW。