[發明專利]晶圓邊緣的刻蝕方法

有效

• 申請號: 201310011495.3
• 申請日: 2013-01-11
• 公開（公告）號: CN103928290A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 張海洋;王新鵬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶圓邊緣的刻蝕方法，其特征在于，包括：

提供晶圓，所述晶圓包括器件區和位于器件區邊緣的外圍區，所述外圍區包括第一區域和第二區域，所述第一區域位于器件區和第二區域之間，且第二區域的上表面高于第一區域的上表面；

對第一區域和第二區域的上表面進行氧化處理，形成氧化層，所述第二區域上的氧化層厚度大于第一區域上的氧化層厚度；

去除第一區域上的氧化層以及第二區域上部分厚度的氧化層；

刻蝕第二區域上剩余的氧化層以及外圍區，使第一區域的上表面與第二區域的上表面齊平。

2.如權利要求1所述的晶圓邊緣的刻蝕方法，其特征在于，對第一區域和第二區域的上表面進行氧化處理、去除第一區域上的氧化層以及第二區域上部分厚度的氧化層在斜面刻蝕機中進行。

3.如權利要求1所述的晶圓邊緣的刻蝕方法，其特征在于，對第一區域和第二區域的上表面進行氧化處理的方法為含氧氣體等離子體處理。

4.如權利要求3所述的晶圓邊緣的刻蝕方法，其特征在于，所述含氧氣體為氧氣或者氧氣與二氧化碳、氦氣和氬氣中的一種或幾種的混合氣體。

5.如權利要求1所述的晶圓邊緣的刻蝕方法，其特征在于，去除第一區域上的氧化層以及第二區域上部分厚度的氧化層的方法為濕法刻蝕。

6.如權利要求5所述的晶圓邊緣的刻蝕方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的溶液為氫氟酸溶液。

7.如權利要求6所述的晶圓邊緣的刻蝕方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液中氫氟酸與水的體積比為1:100~1:2000。

8.如權利要求1所述的晶圓邊緣的刻蝕方法，其特征在于，刻蝕第二區域上剩余的氧化層以及外圍區在斜面刻蝕機中進行。

9.如權利要求8所述的晶圓邊緣的刻蝕方法，其特征在于，刻蝕第二區域上剩余的氧化層以及外圍區時，斜面刻蝕機中上等離子體隔斷區域環的溫度為0℃~150℃，斜面刻蝕機中反應腔的溫度小于上等離子體隔斷區域環的溫度。

10.如權利要求8所述的晶圓邊緣的刻蝕方法，其特征在于，刻蝕第二區域上剩余的氧化層以及外圍區的氣體為含氟氣體。

11.如權利要求10所述的晶圓邊緣的刻蝕方法，其特征在于，所述含氟氣體為CF₄、C₂F₆和SF₆中的一種或者幾種。

12.如權利要求1所述的晶圓邊緣的刻蝕方法，其特征在于，所述外圍區上表面為斜面，由第一區域靠近器件區一側邊緣至第二區域遠離第一區域一側邊緣的外圍區厚度遞減。