[發明專利]硅中介層制作方法有效
| 申請號： | 201310011286.9 | 申請日： | 2013-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN103077922A | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發明（設計）人： | 李平 | 申請（專利權）人： | 陸偉 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 楊立 |
| 地址： | 200124 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 中介 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅中介層制作方法，包括以下步驟：
步驟一，在基底上劃分出硅中介層區域；
步驟二，在硅中介層中制作金屬線和與金屬線連接的通孔；
步驟三，將基底與載片鍵合連接，硅中介層位于載片與基底之間；
步驟四，將硅中介層從基底上分離；
步驟五，在硅中介層表面做平坦化處理,直到露出金屬線；
步驟六，硅中介層與載片分離。
2.根據權利要求1所述的一種硅中介層制作方法，其特征在于：在所述步驟一中，通過在基底上注入輕元素,輕元素注入區域為劃分出的硅中介層區域。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
